[發明專利]減少存儲器設備的冷讀取中的讀取干擾的注入類型

有效

• 申請號: 201880070552.6
• 申請日: 2018-11-19
• 公開（公告）號: CN111279418B
• 公開（公告）日: 2023-05-23
• 發明（設計）人: H-Y·陳;Y·董
• 申請（專利權）人: 閃迪技術有限公司
• 主分類號: G11C16/34
• 分類號: G11C16/34;G11C16/24;G11C16/04
• 代理公司: 北京紀凱知識產權代理有限公司 11245
• 代理人: 徐東升

1.一種裝置，包括：

塊(BLK、BLK0-BLK3)中的多個NAND(700n-703n、710n-713n、720n-723n、730n-733)串，每個NAND串包括源極端選擇柵極晶體管(701、721、741、761)、漏極端選擇柵極晶體管(717、718、737、738、757、758、777、778)以及在所述源極端選擇柵極晶體管與所述漏極端選擇柵極晶體管之間的存儲器單元(704-714、724-734、744-754、764-774)，其中所述多個NAND串包括選定NAND串和未選定NAND串(700n)；

選定字線(WL4)，其連接到所述選定NAND串中的選定存儲器單元并連接到所述未選定NAND串中的未選定存儲器單元(708)；

未選定字線(WL0-WL3、WL4-WL10)，其連接到所述選定NAND串中和所述未選定NAND串中的未選定存儲器單元；

跟蹤電路(117、119)，其被配置為跟蹤所述未選定字線的浮動電壓的指示符；以及

控制電路(51-53、110、116、122、124)，所述控制電路被配置為在針對所述選定存儲器單元的讀取操作中：

將所述未選定字線的電壓從初始電平增加到讀取傳輸電平(Vpass)；

在增加期間并且響應于所述指示符，為所述未選定NAND串中的所述漏極端選擇柵極晶體管提供控制柵極電壓脈沖(1410)，其中所述控制柵極電壓脈沖具有足夠高的幅值(Vpeak-Δ、Vpeak1、Vpeak2)，以在導通狀態下在所述未選定NAND串中提供所述漏極端選擇柵極晶體管；以及

在所述控制柵極電壓脈沖之后，在感測所述選定存儲器單元時，以控制柵極讀取電平(VrA-VrG)提供所述選定字線的電壓。

2.根據權利要求1所述的裝置，其中：

所述指示符指示自所述塊中的最后一次感測操作以來的時間是否超過閾值。

3.根據權利要求1或2所述的裝置，其中：

所述指示符指示所述讀取是否是在所述塊的通電事件之后對所述塊的第一次讀取。

4.根據權利要求1所述的裝置，其中：

所述指示符包括自所述塊中的最后一次感測操作以來的時間；并且

所述控制電路被配置為向所述控制柵極電壓脈沖提供持續時間(1511、1512)，所述持續時間是所述時間的遞增函數。

5.根據權利要求1所述的裝置，其中：

所述指示符包括自所述塊中的最后一次感測操作以來的時間；并且

所述控制電路被配置為向所述控制柵極電壓脈沖提供幅值，所述幅值是所述時間的遞增函數。

6.根據權利要求1所述的裝置，其中：

所述指示符指示溫度；并且

所述控制電路被配置為向所述控制柵極電壓脈沖提供持續時間，所述持續時間是所述溫度的遞減函數。

7.根據權利要求6所述的裝置，其中：

當所述溫度低于-15至-30攝氏度時，所述持續時間被減小。

8.根據權利要求1所述的裝置，其中：

所述選定NAND串連接到位線(BL0-BL3)；

所述控制電路被配置為在啟動所述未選定字線的電壓從初始電平(Vss)到所述讀取傳輸電平的增加之后，啟動所述位線的電壓從所述初始電平到更高的電平(Vbl_sense)的增加；并且

為了感測所述選定存儲器單元，所述控制電路被配置為將所述位線的電壓與跳變電壓進行比較。

9.根據權利要求8所述的裝置，其中：

所述選定NAND串連接到位線；并且

所述控制電路被配置為在所述未選定字線的電壓達到所述讀取傳輸電平之后，啟動所述位線的電壓從所述初始電平到所述更高的電平的增加。