[發明專利]用于壓力傳感器的電子裝置

在審

• 申請號: 201880069986.4
• 申請日: 2018-10-22
• 公開（公告）號: CN111279503A
• 公開（公告）日: 2020-06-12
• 發明（設計）人: J·哈丁;S·馬卡姆
• 申請（專利權）人: 弗萊克因艾伯勒有限公司
• 主分類號: H01L51/05
• 分類號: H01L51/05;H01L51/10;G01L9/00;G01L1/20
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所 11038
• 代理人: 秦晨

一種裝置，其包括：限定晶體管陣列的層堆疊，其中所述層堆疊包含表面導體圖案，所述表面導體圖案限定(i)柵極導體陣列，每個柵極導體提供用于相應列晶體管的柵極電極，以及(ii)像素導體陣列，每個像素導體與相應晶體管相關聯，并且經由所述相應晶體管的半導體溝道連接到行導體陣列中的一個，每一行導體與相應行的晶體管相關聯；其中每個柵極導體被配置為基本上完全圍繞與所述柵極導體相關聯的所述相應列晶體管的所述像素導體延伸。

背景技術

一些壓力傳感器利用電阻器材料的導電性的壓力相關性。

用于例如映射區域上壓力變化的傳感器陣列可以包括有源矩陣背板，所述有源矩陣背板包含晶體管陣列，每個晶體管與柵極線和讀取線的唯一組合相關聯，其中與壓敏電阻器材料膜電接觸的表面導體圖案限定柵極導體陣列以及每個晶體管的像素導體。每個晶體管的每個像素導體經由所述晶體管的半導體溝道在層堆疊內連接到讀取線陣列中的一個。

將壓敏電阻器材料的膜圖案化成島或單元是用于改進這種壓力傳感器陣列的輸出的一種技術，但是本申請的發明人已經認識到在不對壓敏電阻器材料進行圖案化的情況下改進輸出是存在挑戰的。

發明內容

因此，提供了一種裝置，其包括：限定晶體管陣列的層堆疊，其中所述層堆疊包含表面導體圖案，所述表面導體圖案限定(i)柵極導體陣列，每個柵極導體提供用于相應列晶體管的柵極電極，以及(ii)像素導體陣列，每個像素導體與相應晶體管相關聯，并且經由所述相應晶體管的半導體溝道連接到行導體陣列中的一個，每一行導體與相應行的晶體管相關聯；其中每個柵極導體被配置為基本上完全圍繞與所述柵極導體相關聯的所述相應列晶體管的所述像素導體延伸。

根據一個實施例，每個柵極導體基本上完全圍繞與所述柵極導體相關聯的所述相應列晶體管的所有所述像素導體中的每個單獨像素導體延伸。

因此，還提供了一種壓力傳感器，其包括如上所述的裝置和與所述表面導體圖案電接觸的壓敏電阻器材料膜，其中所述壓敏材料表現出與壓力有關的導電性。

附圖說明

在下文中僅以示例的方式并參考附圖描述本發明的實施例，附圖中：

圖1是根據本發明示例實施例的壓力傳感器裝置的一部分的元件配置的橫截面圖示；以及

圖2是根據示例實施例的用于壓力傳感器裝置的背板的表面和下層導體圖案的示例配置的平面圖示。

具體實施方式

根據本發明實施例的壓力傳感器裝置包括與背板的表面導體圖案電接觸的壓敏電阻器材料2的膜，壓敏電阻器材料例如是電阻彈性體(例如碳摻雜的橡膠，其材料密度和導電性隨所施加的壓力的變化而變化)，所述背板包括支撐在例如塑料支撐膜4上并限定晶體管的有源矩陣陣列的層堆疊。

在此示例實施例中，晶體管的有源矩陣陣列包括用于控制部件的有機晶體管裝置的陣列(例如有機薄膜晶體管(OTFT)裝置的陣列)。OTFT包括用于半導體溝道的有機半導體(例如，有機聚合物或小分子半導體)。

表面導體圖案包括柵極線6的陣列，每條柵極線為晶體管陣列中的相應列晶體管提供柵極電極。表面導體圖案還包括像素導體8的陣列，每個像素導體與晶體管陣列的相應晶體管相關聯。在表面導體圖案中，像素導體8彼此分離，并且與柵極導體6分離。

每個像素導體8經由絕緣體12中的通孔10(圖2中的虛線所示)并經由相應晶體管的半導體溝道14連接到由堆疊下層處的另一導體圖案(圖2中的虛線所示)限定的讀取線16的陣列中的一個。讀取線陣列中的每個讀取線16與相應行晶體管相關聯，由此，每個晶體管(以及每個像素導體8)與柵極線和讀取線的唯一組合相關聯。

出于本專利申請的目的，術語行和列不指示任何特定的絕對方向，而是指示相對于彼此基本上正交的任何一對方向。