[發明專利]晶體取向圖生成裝置、帶電粒子射線裝置、晶體取向圖生成方法以及程序

有效

• 申請號: 201880069757.2
• 申請日: 2018-10-25
• 公開（公告）號: CN111279183B
• 公開（公告）日: 2023-08-18
• 發明（設計）人: 網野岳文;森孝茂;丸山直紀
• 申請（專利權）人: 日本制鐵株式會社
• 主分類號: G01N23/2055
• 分類號: G01N23/2055;G01N23/203;G01N23/2251;H01J37/26;H01J37/28
• 代理公司: 北京林達劉知識產權代理事務所(普通合伙) 11277
• 代理人: 劉新宇

1.一種晶體取向圖生成裝置，被用于向樣品的表面入射帶電粒子射線的帶電粒子射線裝置，所述晶體取向圖生成裝置是用于生成晶體取向圖的裝置，該晶體取向圖是表示相對于所述帶電粒子射線的入射方向的、在所述表面的選擇出的位置處的晶體的晶體坐標系的圖，所述晶體取向圖生成裝置具備：

取向信息獲取部，其獲取所述選擇出的位置處的晶體相對于所述入射方向的取向信息；

入射方向信息獲取部，其獲取與所述帶電粒子射線相對于所述樣品的入射方向有關的信息；

晶體取向圖生成部，其基于由所述取向信息獲取部獲取到的所述晶體的取向信息、由所述入射方向信息獲取部獲取到的與獲取到所述晶體的取向信息時的入射方向有關的信息、以及在所述入射方向被變更后由所述入射方向信息獲取部獲取到的與變更后的入射方向有關的信息，通過計算來生成所述選擇出的位置處的所述變更后的入射方向下的晶體取向圖；以及

輸出部，其將由所述帶電粒子射線裝置測定出的所述變更后的入射方向下的所述表面的帶電粒子射線像、以及由所述晶體取向圖生成部生成的所述選擇出的位置處的所述變更后的入射方向下的所述晶體取向圖以同時顯示于外部的顯示裝置的方式進行輸出，

其中，所述晶體取向圖生成裝置在所述帶電粒子射線裝置進行測定的同時通過計算來生成所述變更后的入射方向下的晶體取向圖。

2.根據權利要求1所述的晶體取向圖生成裝置，其特征在于，

所述取向信息獲取部分別獲取所述表面的多個位置處的晶體的取向信息，

所述晶體取向圖生成部分別生成所述多個位置處的晶體取向圖。

3.一種帶電粒子射線裝置，具備根據權利要求1或2所述的晶體取向圖生成裝置。

4.一種晶體取向圖生成方法，被用于向樣品的表面入射帶電粒子射線的帶電粒子射線裝置，所述晶體取向圖生成方法是用于生成晶體取向圖的方法，該晶體取向圖是表示相對于所述帶電粒子射線的入射方向的、在所述表面的選擇出的位置處的晶體的晶體坐標系的圖，所述晶體取向圖生成方法包括以下步驟：

(a)獲取所述選擇出的位置處的晶體相對于所述入射方向的取向信息；

(b)獲取與所述帶電粒子射線相對于所述樣品的入射方向有關的信息；以及

(c)基于在所述(a)的步驟中獲取到的所述晶體的取向信息、在所述(b)的步驟中獲取到的與獲取到所述晶體的取向信息時的入射方向有關的信息、以及在所述入射方向被變更后在所述(b)的步驟中獲取到的與變更后的入射方向有關的信息，通過計算來生成所述選擇出的位置處的所述變更后的入射方向下的晶體取向圖，

其中，在所述帶電粒子射線裝置進行測定的同時通過計算來生成所述變更后的入射方向下的晶體取向圖，

所述晶體取向圖生成方法還包括以下步驟：

(d)將由所述帶電粒子射線裝置測定出的所述變更后的入射方向下的所述表面的帶電粒子射線像、以及在所述(c)的步驟中生成的所述選擇出的位置處的所述變更后的入射方向下的所述晶體取向圖以同時顯示于外部的顯示裝置的方式進行輸出。

5.根據權利要求4所述的晶體取向圖生成方法，其特征在于，

在所述(a)的步驟中，分別獲取所述表面的多個位置處的晶體的取向信息，

在所述(c)的步驟中，分別生成所述多個位置處的晶體取向圖。