[發明專利]用于光刻應用的具有變化的表面形貌的凸節

有效

• 申請號: 201880069695.5
• 申請日: 2018-10-04
• 公開（公告）號: CN111279266B
• 公開（公告）日: 2023-04-14
• 發明（設計）人: M·A·阿克巴斯;D·H·彼得森;塔莫·維特迪克;M·佩里;R·B·劉易斯;I·西格
• 申請（專利權）人: ASML控股股份有限公司
• 主分類號: G03F7/20
• 分類號: G03F7/20;H01L21/683;H01L21/687
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 張啟程

描述了用于在光刻設備中保持物體的各種凸節設計。光刻設備包括照射系統、第一支撐結構、第二支撐結構和投影系統。照射系統被設計成接收輻射并將輻射引導朝向形成圖案化輻射的圖案形成裝置。第一結構被設計成將圖案形成裝置支撐在第一支撐結構上。第二支撐結構(402)具有多個凸節(406)并且被設計成將襯底(408)支撐在多個凸節上。多個凸節中的每個凸節的頂表面的形貌不是基本平坦的，從而減小了襯底與多個凸節中的每個凸節之間的接觸面積。投影系統被設計成接收圖案化輻射并將圖案化輻射導向襯底。

相關申請的交叉引用

本申請要求于2017年10月27日提交的美國臨時專利申請號62/578,126的優先權，該美國臨時專利申請的全部內容以引用的方式并入本文中。

技術領域

本公開涉及光刻設備中的支撐結構上的凸節特征，其中該凸節特征被設計為減小物體與支撐結構之間的接觸阻力。

背景技術

光刻設備是一種將所需圖案施加到襯底的目標部分上的機器。例如，光刻設備可用于制造集成電路(IC)。在這種情況下，可以將可替代地稱為掩模或掩模版的圖案形成裝置可用于生成對應于集成電路的單個層上的電路圖案，且該圖案可以被成像到具有輻射敏感材料(抗蝕劑)層的襯底(例如硅晶片)上的目標部分(例如包括管芯的一部分、一個或更多個管芯)上。通常，單個襯底將包含被連續曝光的相鄰目標部分的網絡。已知的光刻設備包括所謂的步進器，其中通過將整個圖案一次性地曝光到目標部分上來輻射每個目標部分，以及包括所謂的掃描器，其中通過利用在給定方向(“掃描”方向)上的束掃描圖案來輻射每個目標部分的同時，同步地掃描與該方向平行或反平行的襯底。還可以通過將圖案壓印到襯底上而將圖案從圖案形成裝置轉移到襯底。

光刻被廣泛認為是制造IC和其他器件和/或結構的關鍵步驟之一。然而，隨著使用光刻制造的特征的尺寸變得越來越小，光刻成為使得能夠制造微型IC或其他器件和/或結構的更關鍵因素。

圖案印制的極限的理論估計可以通過分辨率的瑞利準則給出，如等式(1)所示：

其中λ是所用輻射的波長，NA是用于印制圖案的投影系統的數值孔徑，k₁是一個與過程有關的調整因子，也稱為瑞利常數，CD是印制的特征的特征尺寸(或臨界尺寸)。從等式(1)得出，特征的最小可印制尺寸的減小可以以三種方式獲得：通過縮短曝光波長λ，通過增加數值孔徑NA，或通過減小k₁的值。

為了縮短曝光波長并因此減小最小可印制尺寸，已經提出使用極紫外(EUV)輻射源。EUV輻射是波長在5-20nm范圍內的電磁輻射，例如在5-20nm范圍內，例如在13-14nm范圍內，例如在5-10nm范圍內，諸如6.7nm或6.8nm。可能的源包括，例如，激光產生的等離子體源、放電等離子體源或基于由電子存儲環提供的同步加速器輻射的源。

但是，此類源產生的輻射將不僅是EUV輻射，而且該源還可能以其他波長發射，包括紅外(IR)輻射和深紫外(DUV)輻射。DUV輻射可能對光刻系統有害，因為它可能導致對比度降低。此外，不需要的IR輻射可能會對系統內的部件產生熱損傷。因此，已知使用光譜純度濾光片來增加EUV在透射輻射中的比例，并減少甚至消除不想要的非EUV輻射，例如DUV和IR輻射。

使用EUV輻射的光刻設備可能要求在光刻操作期間必須將EUV輻射束路徑或其至少大部分保持在真空中。在光刻設備的這種真空區域中，可以使用支撐結構來支撐物體，例如光刻設備中的圖案形成裝置和/或襯底。

支撐結構與物體之間的界面在支撐結構與物體之一或兩者上的接觸點處容易磨損。此外，物體與支撐結構之間的靜摩擦力和/或范德華力會在物體中的被更牢固地粘附到支撐結構的區域上引起局部變形。這些變形在光刻過程的各個階段可能會導致重疊誤差和其他異常成像效果。

發明內容