[發明專利]亞微米間距金屬層上的模擬電容器

在審

• 申請號: 201880069595.2
• 申請日: 2018-10-25
• 公開（公告）號: CN111448657A
• 公開（公告）日: 2020-07-24
• 發明（設計）人: 巴斯卡爾·斯里尼瓦桑;古魯·馬圖爾;斯蒂芬·阿隆·邁斯納;石·昌·張;柯琳妮·安·加涅特
• 申請（專利權）人: 德州儀器公司
• 主分類號: H01L23/528
• 分類號: H01L23/528;H01L21/768
• 代理公司: 北京律盟知識產權代理有限責任公司 11287
• 代理人: 林斯凱

1.一種微電子裝置，其包括：

電介質層；

所述電介質層上的電容器，所述電容器包含：

所述電介質層上的下板；

所述下板上的電容器電介質層，所述電容器電介質層包含：所述下板上方的下二氧化硅層；所述下二氧化硅層上方的氮氧化硅層；和所述氮氧化硅層上的上二氧化硅層；和

所述電容器電介質層上方的上板，其中所述上板從所述下板的側向周邊凹進，所述下二氧化硅層、所述氮氧化硅層和所述上二氧化硅層的至少一部分在所述下板上延伸超過所述上板，所述電容器電介質層在所述下板上由所述上板暴露的地方提供波長為248納米的抗反射層；和

所述電介質層上的互連件，所述互連件和所述下板具有相似的結構和組成，其中所述下二氧化硅層、所述氮氧化硅層和所述上二氧化硅層的所述部分在所述互連件上方延伸。

2.根據權利要求1所述的微電子裝置，其中：

所述下二氧化硅層具有3納米到7納米的厚度；

所述氮氧化硅層具有20納米到30納米的厚度；并且

上二氧化硅層具有8納米到12納米的厚度。

3.根據權利要求1所述的微電子裝置，其中所述氮氧化硅層在248納米的波長下具有1.85到1.95的折射率的實部的平均值

4.根據權利要求3所述的微電子裝置，其中所述上二氧化硅層的延伸超過所述上板的所述部分的厚度為至少3納米。

5.根據權利要求1所述的微電子裝置，其中所述下板和所述互連件各自包含鋁層，所述鋁層主要包含鋁和所述鋁層上方的覆蓋層，所述覆蓋層包含選自由以下組成的群組的材料：氮化鈦和氮化鉭。

6.根據權利要求1所述的微電子裝置，其中所述上板具有100納米到150納米的厚度，并且包含選自由以下組成的群組的材料：氮化鈦和氮化鉭。

7.根據權利要求1所述的微電子裝置，其中所述互連件是第一互連件，并且所述微電子裝置進一步包括所述電介質層上的第二互連件，所述第二互連件和所述第一互連件具有相似的結構和組成，所述第一互連件和所述第二互連件的間距小于420納米，所述間距是所述第二互連件的寬度與所述第一互連件和所述第二互連件之間的空間的寬度之和。

8.根據權利要求1所述的微電子裝置，其中所述電介質層是第一電介質層，并且所述微電子裝置進一步包括：

所述電容器和所述互連件上方的第二電介質層；

通過所述第二電介質層的第一通孔，所述第一通孔接觸所述上板；和

通過所述第二電介質層的第二通孔，所述第二通孔接觸所述互連件，所述第二通孔和所述第一通孔具有相似的結構和組成。

9.根據權利要求1所述的微電子裝置，其中所述電介質層是第一電介質層，并且所述微電子裝置進一步包括：

所述電容器和所述互連件上方的第二電介質層；

通過所述第二電介質層的第一通孔，所述第一通孔接觸所述上板；和

通過所述第二電介質層的第二通孔，所述第二通孔接觸所述下板，所述第二通孔和所述第一通孔具有相似的結構和組成。