[發明專利]發光裝置及其制造方法以及投影儀有效
| 申請號： | 201880069581.0 | 申請日： | 2018-10-19 |
| 公開（公告）號： | CN111279565B | 公開（公告）日： | 2023-03-14 |
| 發明（設計）人： | 名川倫郁;石澤峻介 | 申請（專利權）人： | 精工愛普生株式會社 |
| 主分類號： | H01S5/20 | 分類號： | H01S5/20;G02F1/13357;G03B21/00;G03B21/14;H01S5/30 |
| 代理公司： | 北京三友知識產權代理有限公司 11127 | 代理人： | 鄧毅;黃綸偉 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 發光 裝置 及其 制造 方法 以及 投影儀 | ||
1.一種發光裝置，其具有：
基體；以及
層疊體，其設置于所述基體，
所述層疊體具有：
第1半導體層；
第2半導體層，其導電型與所述第1半導體層不同；
量子阱層，其設置于所述第1半導體層與所述第2半導體層之間；
第1引導層，其設置于所述第1半導體層與所述量子阱層之間；以及
第2引導層，其設置于所述第2半導體層與所述量子阱層之間，
所述第1半導體層設置于所述基體與所述量子阱層之間，
在所述層疊體的與所述基體側相反的一側設置有凹部，
在所述凹部設置有折射率比所述第2半導體層的折射率低的低折射率部，
所述凹部的深度為所述層疊體的與所述基體側相反的一側的面和所述第2引導層之間的距離以下，
在所述層疊體的與所述基體側相反的一側設置有電極，
所述層疊體具有多個柱狀部，
所述柱狀部具有所述第1半導體層、所述第1引導層、所述量子阱層、所述第2引導層和所述第2半導體層，
所述低折射率部是空隙，
通過多個所述柱狀部，能夠將光封閉在俯視觀察時設置有多個所述柱狀部的區域，
所述凹部通過所述第2半導體層規定出，
在所述低折射率部的與所述基體側相反的一側、以及所述凹部的內側面設置有所述電極，
所述電極與所述凹部的內側面接觸，并且與所述凹部的底面分離。
2.根據權利要求1所述的發光裝置，其中，
所述凹部的底面是所述第2引導層的面。
3.根據權利要求2所述的發光裝置，其中，
設置有多個所述凹部，
多個所述凹部在規定的方向上以第1間距排列，
多個所述柱狀部在所述規定的方向上以第2間距排列，
所述第1間距比所述第2間距小。
4.一種發光裝置的制造方法，其具有以下工序：
將第1半導體層、第1引導層、量子阱層、第2引導層和導電型與所述第1半導體層不同的第2半導體層按該順序形成于基體，從而形成層疊體；
在所述層疊體的與所述基體相反的一側形成凹部，該凹部設置有折射率比所述第2半導體層的折射率低的低折射率部；以及
在形成所述凹部的工序后，在所述層疊體的與所述基體側相反的一側形成電極，
在形成所述凹部的工序中，
以所述凹部的深度為所述層疊體的與所述基體側相反的一側的面和所述第2引導層之間的距離以下的方式形成所述凹部，
所述凹部通過所述第2半導體層規定出，
在形成所述層疊體的工序中，
形成具有多個柱狀部的所述層疊體，
所述柱狀部具有所述第1半導體層、所述第1引導層、所述量子阱層、所述第2引導層和所述第2半導體層，
所述低折射率部是空隙，
通過多個所述柱狀部，能夠將光封閉在俯視觀察時設置有多個所述柱狀部的區域，
在形成所述電極的工序中，
在所述低折射率部的與所述基體側相反的一側、以及所述凹部的內側面設置有所述電極，
使所述電極與所述凹部的內側面接觸，并且與所述凹部的底面分離。
5.根據權利要求4所述的發光裝置的制造方法，其中，
所述凹部的底面是所述第2引導層的面。
6.一種投影儀，其具有權利要求1～3中的任意一項所述的發光裝置。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于精工愛普生株式會社，未經精工愛普生株式會社許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201880069581.0/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇：靜電電容式傳感器
- 下一篇：沿著擴散長度具有均勻照明的光擴散光纖及其形成方法
