[發(fā)明專利]顯示裝置

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201880069567.0
• 申請日: 2018-11-07
• 公開（公告）號: CN111279793A
• 公開（公告）日: 2020-06-12
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 宮永昭治;伊藤哲二;渡邊真由子
• 申請（專利權(quán)）人: NS材料株式會社
• 主分類號: H05B33/14
• 分類號: H05B33/14;G09F9/30;H01L27/32;H01L51/50;H05B33/02;H05B33/26
• 代理公司: 北京瑞盟知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11300
• 代理人: 劉昕;孟祥海

本發(fā)明的目的在于提供一種含有量子點的顯示裝置。本發(fā)明為一種具備顯示區(qū)域的顯示裝置(1)，其特征在于，所述顯示區(qū)域具有第一電極(11)、所述第一電極與發(fā)光層之間的層(12)、所述發(fā)光層(13)、所述發(fā)光層與第二電極之間的層(14)以及所述第二電極(15)按照該順序?qū)盈B在基板上的發(fā)光元件，所述發(fā)光層由含有量子點的無機(jī)層形成，所述發(fā)光元件為底部發(fā)光型。在本發(fā)明中，優(yōu)選，自所述第一電極至所述第二電極的所有的層由無機(jī)層形成。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及一種使用量子點的顯示裝置。

背景技術(shù)

在下述的專利文獻(xiàn)中公開有一種涉及有機(jī)EL(organic electro-luminescence)的發(fā)明。

通過在基板上層疊陽極、空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層和陰極而構(gòu)成有機(jī)EL元件。這種有機(jī)EL元件由有機(jī)化合物形成，通過注入到有機(jī)化合物中的電子與空穴的再復(fù)合而產(chǎn)生的激子發(fā)光。

專利文獻(xiàn)1：日本特開2017-45650號公報

發(fā)明內(nèi)容

發(fā)明所要解決的課題

但是近幾年，使用量子點的發(fā)光元件的開發(fā)正在推進(jìn)。量子點為由數(shù)百～數(shù)千個左右的原子構(gòu)成、粒徑為數(shù)nm～數(shù)十nm左右的納米粒子。量子點也被稱作熒光納米粒子、半導(dǎo)體納米粒子或者納米晶體。量子點具有利用納米粒子的粒徑和組成而能夠?qū)Πl(fā)光波長進(jìn)行各種變更的特征。與有機(jī)EL元件同樣，使用量子點的發(fā)光元件能夠?qū)崿F(xiàn)薄型化和面發(fā)光。

但是，底部發(fā)光型中使用量子點的發(fā)光元件的層疊構(gòu)造還未確立。

本發(fā)明正是鑒于該點而作出的發(fā)明，其目的在于提供一種具備含有量子點的發(fā)光元件的顯示裝置。

用于解決課題的方案

本發(fā)明為一種具備顯示區(qū)域的顯示裝置，其特征在于，所述顯示區(qū)域具有第一電極、所述第一電極與發(fā)光層之間的層、所述發(fā)光層、所述發(fā)光層與第二電極之間的層以及所述第二電極按照該順序?qū)盈B在基板上的發(fā)光元件，所述發(fā)光層由含有量子點的無機(jī)層形成，所述發(fā)光元件為底部發(fā)光型。

在本發(fā)明中，優(yōu)選，自所述第一電極至所述第二電極的所有的層由無機(jī)層形成。

在本發(fā)明中，優(yōu)選，所述第一電極與發(fā)光層之間的層、所述發(fā)光層以及所述發(fā)光層與第二電極之間的層為由納米粒子形成的所述無機(jī)層。

而且，在本發(fā)明中，優(yōu)選，所述顯示裝置具有可撓性。

而且，在本發(fā)明中，優(yōu)選，所述量子點為核的表面未被殼包覆的結(jié)構(gòu)。

而且，在本發(fā)明中，優(yōu)選，所述第一電極與發(fā)光層之間的層、所述發(fā)光層以及所述發(fā)光層與第二電極之間的層中的至少任一層利用噴墨法形成。

而且，在本發(fā)明中，優(yōu)選，位于所述第一電極與所述第二電極之間的所有的層通過涂布形成。

發(fā)明的效果

本發(fā)明的顯示裝置能夠使用于顯示裝置中的含有量子點的發(fā)光元件的層疊構(gòu)造合理化。而且，在本發(fā)明中，可以由無機(jī)層形成自陽極至陰極的所有的層。

附圖說明

圖1為本實施方式的顯示裝置的局部俯視圖。

圖2為放大表示圖1所示的顯示裝置一個顯示區(qū)域的局部放大剖面圖。

圖3為用于表示與圖2不同的薄膜晶體管構(gòu)造的剖面圖。

圖4中的圖4A為第一實施方式中的發(fā)光元件的剖面圖，圖4B為第一實施方式的顯示裝置中各層的能級圖。

圖5為本實施方式中的量子點的示意圖。

圖6為與圖1不同的實施方式的發(fā)光元件的剖面圖。