[發(fā)明專利]在殼體內(nèi)具有分析儀的輻射探測裝置在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201880069560.9 | 申請日： | 2018-10-24 |
| 公開（公告）號： | CN111433633A | 公開（公告）日： | 2020-07-17 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 約翰·M·弗蘭克;阿爾坦·久拉伊 | 申請（專利權(quán)）人： | 圣戈本陶瓷及塑料股份有限公司 |
| 主分類號： | G01T1/20 | 分類號： | G01T1/20;G01T1/02;G01T7/00 |
| 代理公司： | 北京允天律師事務(wù)所 11697 | 代理人： | 李建航;高源 |
| 地址： | 美國馬*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 殼體 具有 分析 輻射 探測 裝置 | ||
1.一種輻射探測裝置，包括：
殼體；
閃爍體，所述閃爍體響應(yīng)于吸收輻射而發(fā)出閃爍光；
一個或多個硅光電倍增器，所述一個或多個硅光電倍增器響應(yīng)于接收所述閃爍光而產(chǎn)生電子脈沖；以及
光耦合器，其中所述光耦合器形成密封以隔離所述閃爍體，其中所述殼體包含所述閃爍體、所述一個或多個硅光電倍增器和所述光耦合器，并且其中可改變所述一個或多個硅光電倍增器的數(shù)量而不破壞所述密封。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的輻射探測裝置，其中所述一個或多個硅光電倍增器的所述數(shù)量增加。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的輻射探測裝置，其中所述一個或多個硅光電倍增器的所述數(shù)量減少。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的輻射探測裝置，其中可改變所述輻射探測裝置的功能性而不破壞所述密封。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的輻射探測裝置，其中所述一個或多個硅光電倍增器鄰近所述光耦合器。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的輻射探測裝置，其中所述一個或多個硅光電倍增器光耦接至所述閃爍體。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的輻射探測裝置，其中所述光耦合器包含硅膠。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的輻射探測裝置，其中所述光耦合器與所述殼體形成密封以隔離所述閃爍體。
9.一種使用輻射探測裝置的方法，包括：
提供殼體，所述殼體包含閃爍體、光電傳感器和光耦合器，其中：
所述閃爍體配置為響應(yīng)于吸收輻射而發(fā)出閃爍光；
所述光電傳感器配置為響應(yīng)于接收所述閃爍光而產(chǎn)生電子脈沖；
所述光耦合器形成密封以隔離所述閃爍體；以及
改變所述輻射探測裝置的功能性而不破壞所述密封。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，改變功能性包括改變所述光電傳感器的數(shù)量。
11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其中所述光電傳感器為半導(dǎo)體基光電倍增器。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其中所述半導(dǎo)體基光電倍增器包括一個或多個硅光電倍增器。
13.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，進一步包括：
響應(yīng)于吸收輻射而從所述閃爍體發(fā)出閃爍光。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息，商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于圣戈本陶瓷及塑料股份有限公司，未經(jīng)圣戈本陶瓷及塑料股份有限公司許可，擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作，請聯(lián)系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201880069560.9/1.html，轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 上一篇：高頻傳輸線路
- 下一篇：傳感器線圈優(yōu)化
