[發明專利]肖特基勢壘二極管

有效

• 申請號: 201880069554.3
• 申請日: 2018-09-26
• 公開（公告）號: CN111279490B
• 公開（公告）日: 2023-06-20
• 發明（設計）人: 有馬潤;平林潤;藤田實;佐佐木公平
• 申請（專利權）人: TDK株式會社;株式會社田村制作所;諾維晶科股份有限公司
• 主分類號: H01L29/872
• 分類號: H01L29/872;H01L29/06;H01L29/41;H01L29/47
• 代理公司: 北京尚誠知識產權代理有限公司 11322
• 代理人: 楊琦;陳明霞

1.一種肖特基勢壘二極管，其特征在于，

具備：

半導體基板，其由氧化鎵構成；

漂移層，其由設置于所述半導體基板上的氧化鎵構成；

陽極電極，其與所述漂移層進行肖特基接觸；和

陰極電極，其與所述半導體基板進行歐姆接觸，

所述漂移層具有設置于俯視時與所述陽極電極重疊的位置的多個溝槽，

所述多個溝槽中位于端部的溝槽的寬度被選擇性地擴大，

所述位于端部的溝槽的底部的曲率半徑大于所述多個溝槽中的其它溝槽的底部的曲率半徑。

2.根據權利要求1所述的肖特基勢壘二極管，其特征在于，

所述多個溝槽的內壁由絕緣膜覆蓋。

3.根據權利要求1或2所述的肖特基勢壘二極管，其特征在于，

還具備設置于所述漂移層上的絕緣層，

所述陽極電極形成于所述絕緣層上，并且經由形成于所述絕緣層的開口部與所述漂移層進行肖特基接觸。