[發明專利]EPI中的多區域點加熱有效
| 申請號: | 201880069406.1 | 申請日: | 2018-10-04 |
| 公開(公告)號: | CN111263977B | 公開(公告)日: | 2023-09-26 |
| 發明(設計)人: | 劉樹坤;科吉·納卡尼施;中川俊行;朱作明;葉祉淵;約瑟夫·M·拉內什;尼歐·謬;埃羅爾·安東尼奧·C·桑切斯;舒伯特·S·楚 | 申請(專利權)人: | 應用材料公司 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67;H01L21/683 |
| 代理公司: | 北京律誠同業知識產權代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金國;趙靜 |
| 地址: | 美國加利*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | epi 中的 區域 加熱 | ||
1.一種處理腔室,包括:
腔室主體;
基板支撐件,所述基板支撐件設置在所述腔室主體中;
輻射模塊,所述輻射模塊設置在所述腔室主體外部且面向所述基板支撐件;
支撐件,所述支撐件設置在所述腔室主體外部;
安裝支架,所述安裝支架設置在所述腔室主體外部的所述支撐件上;和
點加熱模塊,所述點加熱模塊包括耦接至所述安裝支架的多個點加熱器,所述安裝支架包括形成在其中的多個開口,所述多個開口相對于所述安裝支架的中心處于不同的角度位置,其中所述多個開口中的每個開口定位在所述多個點加熱器中的相應點加熱器與所述基板支撐件之間。
2.如權利要求1所述的處理腔室,其中所述點加熱模塊包括激光源。
3.如權利要求2所述的處理腔室,其中所述點加熱模塊進一步包括多個準直器,每個準直器光學耦合至所述激光源。
4.如權利要求3所述的處理腔室,其中每個準直器通過光纖光學耦合至所述激光源。
5.如權利要求4所述的處理腔室,其中所述激光源是激光二極管陣列。
6.如權利要求1所述的處理腔室,其中所述點加熱模塊包括多個輻射源,并且其中所述多個輻射源的每個輻射源通過光纖耦合至對應的準直器。
7.如權利要求1所述的處理腔室,其中所述點加熱模塊包括多個輻射源和至少一個熱傳感器。
8.如權利要求7所述的處理腔室,其中所述多個輻射源的每個輻射源是激光源,并且每個熱傳感器是高溫計。
9.一種處理腔室,包括:
腔室主體;
基板支撐件,所述基板支撐件設置在所述腔室主體中;
支撐件,所述支撐件設置在所述腔室主體外部;
安裝支架,所述安裝支架設置在所述腔室主體外部的所述支撐件上;和
點加熱模塊,所述點加熱模塊包括耦接至所述安裝支架的多個點加熱器,所述點加熱模塊包括可移動臺,所述可移動臺耦接至所述安裝支架,所述安裝支架包括形成在其中的多個開口,所述多個開口相對于所述安裝支架的中心處于不同的角度位置,其中所述多個開口中的每個開口定位在所述多個點加熱器中的相應點加熱器與所述基板支撐件之間。
10.如權利要求9所述的處理腔室,其中所述可移動臺包括滑塊和楔。
11.如權利要求9所述的處理腔室,其中熱傳感器耦接至所述可移動臺。
12.一種處理腔室,包括:
腔室主體;
基板支撐件,所述基板支撐件設置在所述腔室主體中;
支撐件,所述支撐件設置在所述腔室主體外部;
安裝支架,所述安裝支架設置在所述腔室主體外部的所述支撐件上;和
點加熱模塊,所述點加熱模塊包括耦接至所述安裝支架的多個點加熱器,所述點加熱模塊包括至少一個可調整楔,所述安裝支架包括圍繞中心開口的環形部分、從所述環形部分延伸的多個板、以及形成在所述多個板中的多個開口,其中所述多個開口中的每個開口定位在所述多個點加熱器中的相應點加熱器與所述基板支撐件之間。
13.如權利要求12所述的處理腔室,其中所述點加熱模塊進一步包括多個輻射源。
14.如權利要求13所述的處理腔室,其中所述多個輻射源中的每個輻射源耦接至所述多個板之一。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





