[發(fā)明專利]發(fā)光元件

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201880069240.3
• 申請(qǐng)日: 2018-10-17
• 公開（公告）號(hào): CN111279506A
• 公開（公告）日: 2020-06-12
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 飯島孝幸;山本恭子
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 住友化學(xué)株式會(huì)社
• 主分類號(hào): H01L51/50
• 分類號(hào): H01L51/50;C08G61/10;C08G61/12;C08K3/36;C08L65/00
• 代理公司: 中科專利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司 11021
• 代理人: 陳平

1.一種發(fā)光器件，所述發(fā)光器件依次包括陰極、電子傳輸層、發(fā)光層和陽(yáng)極，

所述發(fā)光器件還任選地包括在所述陰極和所述電子傳輸層之間的電子注入層，

其中

所述電子傳輸層含有顆粒和非顆粒性電子傳輸材料，

構(gòu)成所述顆粒的材料對(duì)波長(zhǎng)為550nm的光的折射率n1和所述非顆粒性電子傳輸材料對(duì)波長(zhǎng)為550nm的光的折射率n2滿足以下關(guān)系：n1-n2≤-0.15，并且

通過(guò)動(dòng)態(tài)光散射所確定的所述顆粒的Z-平均粒徑為110至300nm。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件，其中構(gòu)成所述顆粒的所述材料對(duì)波長(zhǎng)為550nm的光的折射率n1為1.5以下。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的發(fā)光器件，其中所述顆粒是二氧化硅顆粒。

4.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任一項(xiàng)所述的發(fā)光器件，其中所述電子傳輸材料含有高分子化合物，所述高分子化合物具有由式(ET-1)表示的結(jié)構(gòu)單元：

其中nE1表示1以上的整數(shù)，

Ar^E1表示任選取代的芳族烴基或任選取代的雜環(huán)基，

R^E1表示任選取代的含有一個(gè)或多個(gè)雜原子的一價(jià)基團(tuán)，并且當(dāng)存在多個(gè)R^E1時(shí)，所述多個(gè)R^E1可以是相同的或不同的。

5.根據(jù)權(quán)利要求1至4中任一項(xiàng)所述的發(fā)光器件，其中所述電子傳輸材料含有由式(H-1)表示的化合物：

其中Ar^H1和Ar^H2各自獨(dú)立地表示任選取代的一價(jià)芳族烴基或任選取代的一價(jià)雜環(huán)基，

L^H1表示任選取代的二價(jià)芳族烴基或任選取代的二價(jià)雜環(huán)基，

L^H2表示由式-N(-L^H21-R^H21)-表示的基團(tuán)

其中L^H21表示單鍵、任選取代的亞芳基或任選取代的二價(jià)雜環(huán)基，

R^H21表示氫原子、任選取代的烷基、任選取代的環(huán)烷基、任選取代的芳基或任選取代的一價(jià)雜環(huán)基，

當(dāng)存在多個(gè)L^H1時(shí)，所述多個(gè)L^H1可以是相同的或不同的，

當(dāng)存在多個(gè)L^H2時(shí)，所述多個(gè)L^H2可以是相同的或不同的，并且

n^H1、n^H2和n^H3各自獨(dú)立地表示0以上且10以下的整數(shù)。

6.根據(jù)權(quán)利要求1至5中任一項(xiàng)所述的發(fā)光器件，其中相對(duì)于100質(zhì)量份的所述電子傳輸材料，所述顆粒的比例為1至200質(zhì)量份。

7.根據(jù)權(quán)利要求1至6中任一項(xiàng)所述的發(fā)光器件，其中所述電子傳輸層的每單位面積的顆粒數(shù)為1/μm²以上。

8.根據(jù)權(quán)利要求1至7中任一項(xiàng)所述的發(fā)光器件，其中所述陰極或所述電子注入層與所述電子傳輸層相鄰，并且所述陰極或所述電子注入層與所述電子傳輸層之間的界面的均方根粗糙度為5nm以上。