[發(fā)明專利]陣列天線及其制造方法、以及陣列天線用液晶取向劑在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201880069230.X | 申請(qǐng)日: | 2018-11-07 |
| 公開(公告)號(hào): | CN111279550A | 公開(公告)日: | 2020-06-12 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 樫下幸志 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | JSR株式會(huì)社 |
| 主分類號(hào): | H01Q3/34 | 分類號(hào): | H01Q3/34;C08G73/10;C08L79/08;C08L101/12;H01P11/00;H01Q3/44;H01Q13/22;H01Q21/06 |
| 代理公司: | 北京同立鈞成知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11205 | 代理人: | 楊貝貝;臧建明 |
| 地址: | 日本東京港*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 陣列 天線 及其 制造 方法 以及 液晶 取向 | ||
陣列天線10具有多個(gè)天線單位11。陣列天線10包括貼片基板12、縫隙基板13及液晶層14。在貼片基板12及縫隙基板13中的至少一者的液晶層14側(cè)形成有液晶取向膜22、液晶取向膜23。液晶取向膜22、液晶取向膜23是使用含有化合物[M]的聚合體組合物而形成,所述化合物[M]具有選自由式(1)所表示的部分結(jié)構(gòu)及含氮雜環(huán)所組成的群組中的至少一種。(R1為氫原子或碳數(shù)1~10的一價(jià)有機(jī)基,R2及R3分別獨(dú)立地為二價(jià)有機(jī)基;其中,R2及R3不會(huì)同時(shí)成為芳香環(huán)基。)
相關(guān)申請(qǐng)的相互參考
本申請(qǐng)基于2017年12月27號(hào)提出申請(qǐng)的日本申請(qǐng)編號(hào)2017-252366號(hào)而成,并將其記載內(nèi)容引用于此。
技術(shù)領(lǐng)域
本公開涉及一種陣列天線及其制造方法以及陣列天線用液晶取向劑。
背景技術(shù)
介電質(zhì)天線由于小型及輕量,故廣泛用作搭載于電視機(jī)或移動(dòng)電話、個(gè)人計(jì)算機(jī)、車輛等的各種用途(例如,信息通信用、電話用、全球定位系統(tǒng)(Global PositioningSystem,GPS)用等)的天線。另外,近年來,作為介電質(zhì)天線,著眼于液晶材料的介電各向異性而提出各種通過液晶材料而形成介電質(zhì)層的平面天線(例如,參照專利文獻(xiàn)1或?qū)@墨I(xiàn)2)。
現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)
專利文獻(xiàn)
專利文獻(xiàn)1:國際公開第2016/141342號(hào)
專利文獻(xiàn)2:國際公開第2017/065255號(hào)
發(fā)明內(nèi)容
發(fā)明所要解決的問題
使用液晶材料的介電質(zhì)天線中,通過高介電常數(shù)的液晶材料而形成介電質(zhì)層,由此實(shí)現(xiàn)天線的小型化。另一方面,當(dāng)使用高介電常數(shù)的液晶材料時(shí),存在介電損耗變大而無法充分確保天線性能的傾向。另外,介電質(zhì)天線中所使用的高介電常數(shù)的液晶材料存在對(duì)于光等環(huán)境應(yīng)力而言脆的傾向,且有天線的可靠性不充分的擔(dān)憂。
本公開是鑒于所述課題而成,其目的之一在于提供一種介電損耗小且可靠性優(yōu)異的陣列天線(array antenna)。
解決問題的技術(shù)手段
本公開為了解決所述課題而采用了以下手段。
[1]一種陣列天線,具有多個(gè)天線單位,且所述陣列天線包括:第一基板,包含第一介電質(zhì)基板、形成于所述第一介電質(zhì)基板上的多個(gè)貼片電極及形成于所述第一介電質(zhì)基板上的多個(gè)薄膜晶體管;第二基板,包含與所述第一基板的所述貼片電極的形成面相向配置的第二介電質(zhì)基板、及形成于所述第二介電質(zhì)基板的與所述貼片電極相向的面上的縫隙電極;以及液晶層,配置于所述第一基板與所述第二基板之間;并且在所述第一基板及所述第二基板中的至少一者的所述液晶層側(cè)形成液晶取向膜,所述液晶取向膜是使用含有化合物[M]的聚合體組合物而形成,所述化合物[M]具有選自由下述式(1)所表示的部分結(jié)構(gòu)及含氮雜環(huán)所組成的群組中的至少一種:
[化1]
(式(1)中,R1為氫原子或碳數(shù)1~10的一價(jià)有機(jī)基,R2及R3分別獨(dú)立地為二價(jià)有機(jī)基;其中,R2及R3不會(huì)同時(shí)成為芳香環(huán)基;“*”表示鍵結(jié)鍵)。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于JSR株式會(huì)社,未經(jīng)JSR株式會(huì)社許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請(qǐng)聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201880069230.X/2.html,轉(zhuǎn)載請(qǐng)聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 同類專利
- 專利分類
- 氫燃料制造系統(tǒng)、氫燃料制造方法以及氫燃料制造程序
- 單元控制系統(tǒng)、生產(chǎn)系統(tǒng)以及控制方法
- 制造裝置及制造方法以及制造系統(tǒng)
- 一種三相異步電動(dòng)機(jī)制造工藝方法
- 制造設(shè)備、制造裝置和制造方法
- 用于監(jiān)測(cè)光學(xué)鏡片制造過程的方法
- 產(chǎn)品的制造系統(tǒng)、惡意軟件檢測(cè)系統(tǒng)、產(chǎn)品的制造方法以及惡意軟件檢測(cè)方法
- 一種面向制造服務(wù)的制造能力評(píng)估方法
- 一種基于云制造資源的制造能力建模方法
- 制造設(shè)備系統(tǒng)、制造設(shè)備以及制造方法





