[發(fā)明專利]附金屬膜襯底的分斷方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201880069036.1
• 申請日: 2018-10-16
• 公開（公告）號: CN111263974A
• 公開（公告）日: 2020-06-09
• 發(fā)明（設計）人: 村上健二
• 申請（專利權(quán)）人: 三星鉆石工業(yè)股份有限公司
• 主分類號: H01L21/301
• 分類號: H01L21/301;B28D5/00
• 代理公司: 北京律盟知識產(chǎn)權(quán)代理有限責任公司 11287
• 代理人: 沈錦華

本發(fā)明提供一種可較佳地分斷附金屬膜襯底的方法。分斷附金屬膜襯底的方法具備如下步驟：在特定的分斷預定位置，刻劃未設金屬膜的第1主面?zhèn)榷纬蓜澠郏沂勾怪绷鸭y沿分斷預定位置向襯底內(nèi)部擴展；通過使裂斷桿從設有金屬膜的第2主面?zhèn)葘Ω浇饘倌ひr底進行抵接而使垂直裂紋進一步擴展，由此，在分斷預定位置將金屬膜以外的部分分斷；及通過使裂斷桿從第1主面?zhèn)葘Ω浇饘倌ひr底進行抵接，而在分斷預定位置將金屬膜分斷。

技術(shù)領域

本發(fā)明涉及一種半導體器件用襯底的分斷，尤其涉及一種在一主面形成有器件圖案，在另一主面形成有金屬膜的襯底的分斷。

背景技術(shù)

作為將例如SiC(碳化硅)襯底等半導體器件用襯底分斷的方法，已知有諸如以下的方法，進行在半導體器件用襯底的一主面形成劃片槽，使垂直裂紋從該劃片槽擴展的刻劃步驟后，進行通過施加外力使所述裂紋在襯底厚度方向上進一步擴展，由此將半導體器件用襯底裂斷的裂斷步驟(例如參照專利文獻1)。

劃片槽的形成是通過使刻劃輪(切割輪)沿分斷預定位置壓接滾動而進行。

裂斷是通過在半導體器件用襯底的另一主面?zhèn)龋沽褦嗟?裂斷桿)的刀尖沿分斷預定位置抵接于半導體器件用襯底后，將該刀尖進一步壓入而進行。

另外，這些劃片槽的形成及裂斷是在將具有粘附性的切割膠帶貼附在另一主面的狀態(tài)下進行，且在裂斷后，通過使所述切割膠帶伸展的展開步驟而使對向的分斷面分隔。

作為將半導體器件用襯底分斷的一形態(tài)，包括將母板分斷(單片化)成各個器件單位，所述母板是在一主面形成有二維地重復有包含半導體層或電極等的半導體器件的單位圖案所得的器件圖案，且在另一主面形成有金屬膜。

以如專利文獻1中揭示的以往方法進行所述分斷的情況下，有時在裂斷步驟后，產(chǎn)生金屬膜在應被分斷的部位未被完全分斷而仍保持連續(xù)的所謂薄膜殘留之類的狀態(tài)。

另外，即便產(chǎn)生此種薄膜殘留的部分，仍可通過隨后的展開步驟將該部分金屬膜分斷(破斷)，但存在即便已實施分斷，也容易在所述分斷部位出現(xiàn)金屬膜剝落之類問題。

背景技術(shù)文獻

專利文獻

專利文獻1：日本專利特開2012-146879號公報

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明是鑒于所述問題而完成者，目的在于提供一種可較佳地分斷附金屬膜襯底的方法。

為解決所述問題，本發(fā)明第1形態(tài)的特征在于：其是將附金屬膜襯底分斷的方法，且具備：刻劃步驟，通過利用刻劃工具在特定的分斷預定位置，刻劃附金屬膜襯底的未設金屬膜的第1主面?zhèn)榷纬蓜澠郏沂勾怪绷鸭y從所述劃片槽沿所述分斷預定位置向所述附金屬膜襯底的內(nèi)部擴展；第1裂斷步驟，通過使裂斷桿從所述附金屬膜襯底的設有所述金屬膜的第2主面?zhèn)葘λ龈浇饘倌ひr底進行抵接，而使所述垂直裂紋進一步擴展，由此在所述分斷預定位置，將所述附金屬膜襯底的所述金屬膜以外的部分分斷；及第2裂斷步驟，通過使所述裂斷桿從所述第1主面?zhèn)葘λ龈浇饘倌ひr底進行抵接，而在所述分斷預定位置將所述金屬膜分斷。

本發(fā)明的第2形態(tài)是根據(jù)第1形態(tài)的附金屬膜襯底的分斷方法，其特征在于：所述裂斷桿的刀尖前端部的曲率半徑為5μm～25μm。

本發(fā)明的第3形態(tài)是根據(jù)第2形態(tài)的附金屬膜襯底的分斷方法，特征在于：所述特定的分斷預定位置是以特定間隔d1確定多個，所述第1裂斷步驟及所述第2裂斷步驟在由水平方向上分隔的一對保持部從下方支撐所述附金屬膜襯底的狀態(tài)下，在自所述一對保持部各自等效的位置進行，且將所述一對保持部的分隔距離d2在所述第1裂斷步驟中設為d2＝0.5d1～1.25d1，在所述第2裂斷步驟中設為d2＝1.0d1～1.75d1。