[發明專利]干式蝕刻方法

有效

• 申請號: 201880068626.2
• 申請日: 2018-10-24
• 公開（公告）號: CN111279460B
• 公開（公告）日: 2023-07-18
• 發明（設計）人: 鈴木圣唯;八尾章史
• 申請（專利權）人: 中央硝子株式會社
• 主分類號: H01L21/302
• 分類號: H01L21/302
• 代理公司: 北京路浩知識產權代理有限公司 11002
• 代理人: 張晶;謝順星

1.一種干式蝕刻方法，其特征在于，使包含氟化氫及含氟羧酸的混合氣體于小于100℃且無等離子體地與含有氮化硅及氧化硅的結構接觸，選擇性地蝕刻所述氮化硅，

所述氮化硅與所述氧化硅的蝕刻選擇比(SiN/SiO₂)為100以上。

2.根據權利要求1所述的干式蝕刻方法，其特征在于，所述含氟羧酸的量為所述氟化氫與所述含氟羧酸的合計量的0.01體積％以上。

3.根據權利要求2所述的干式蝕刻方法，其特征在于，所述含氟羧酸的量為所述氟化氫與所述含氟羧酸的合計量的0.1體積％以上且30體積％以下。

4.根據權利要求1～3中任一項所述的干式蝕刻方法，其特征在于，所述含氟羧酸為選自由單氟乙酸、二氟乙酸、三氟乙酸、二氟丙酸、五氟丙酸及七氟丁酸組成的組中的至少一種。

5.根據權利要求1所述的干式蝕刻方法，其特征在于，所述混合氣體不僅與所述氮化硅及所述氧化硅接觸，而且也與多晶硅接觸，

所述氮化硅與所述多晶硅的蝕刻選擇比(SiN/Si)為100以上。

6.根據權利要求1所述的干式蝕刻方法，其特征在于，所述含氟羧酸為三氟乙酸或五氟丙酸，

所述含氟羧酸的量為所述氟化氫與所述含氟羧酸的合計量的0.1體積％以上且30體積％以下。

7.根據權利要求1所述的干式蝕刻方法，其特征在于，所述氮化硅的蝕刻速率為100nm/min以上。

8.一種半導體器件的制造方法，其特征在于，其包含如下工序：針對具有氧化硅膜、多晶硅膜及氮化硅膜的硅基板，應用權利要求1～7中任一項所述的干式蝕刻方法，選擇性地蝕刻氮化硅膜。

9.一種干式蝕刻氣體組合物，其特征在于，其包含氟化氫與含氟羧酸，

所述含氟羧酸的水分量小于1質量％，

在與氮化硅及氧化硅接觸時，所述氮化硅與所述氧化硅的蝕刻選擇比(SiN/SiO₂)為100以上。

10.根據權利要求9所述的干式蝕刻氣體組合物，其實質上僅包含氟化氫與含氟羧酸。

11.根據權利要求9或10所述的干式蝕刻氣體組合物，其特征在于，所述含氟羧酸的量為所述氟化氫與所述含氟羧酸的合計量的0.01體積％以上。

12.根據權利要求11所述的干式蝕刻氣體組合物，其特征在于，所述含氟羧酸的量為所述氟化氫與所述含氟羧酸的合計量的0.1體積％以上且30體積％以下。

13.根據權利要求9或10所述的干式蝕刻氣體組合物，其特征在于，所述含氟羧酸為選自由單氟乙酸、二氟乙酸、三氟乙酸、二氟丙酸、五氟丙酸及七氟丁酸組成的組中的至少一種。

14.一種蝕刻裝置，其具備：

腔室，其具有載置含有氮化硅膜及氧化硅膜的硅基板的平臺；

氣體供給部，其用于對載置于所述平臺的所述基板供給包含氟化氫與含氟羧酸的干式蝕刻氣體組合物；

真空排氣部，其用于將所述腔室內減壓；及

加熱器，其用于將所述平臺加熱，且

所述蝕刻裝置以所述氮化硅與所述氧化硅的蝕刻選擇比(SiN/SiO₂)為100以上的方式自所述基板蝕刻所述氮化硅膜。

15.根據權利要求14所述的蝕刻裝置，其特征在于，所述含氟羧酸的量為所述氟化氫與所述含氟羧酸的合計量的0.01體積％以上。

16.根據權利要求15所述的蝕刻裝置，其特征在于，所述含氟羧酸的量為所述氟化氫與所述含氟羧酸的合計量的0.1體積％以上且30體積％以下。