[發(fā)明專利]光電轉(zhuǎn)換元件

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201880068499.6
• 申請(qǐng)日: 2018-10-22
• 公開（公告）號(hào): CN111247655B
• 公開（公告）日: 2021-04-09
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 豬口大輔;金坂將;岸田明子
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 住友化學(xué)株式會(huì)社
• 主分類號(hào): H01L51/42
• 分類號(hào): H01L51/42;H01L31/10
• 代理公司: 北京三友知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11127
• 代理人: 于潔;褚瑤楊

1.一種光檢測元件，其是包含陽極、陰極、以及設(shè)置于該陽極與該陰極之間的活性層的光檢測元件，所述光檢測元件中，

所述活性層包含p型半導(dǎo)體材料和n型半導(dǎo)體材料，所述p型半導(dǎo)體材料是聚苯乙烯換算重均分子量為40000以上200000以下的高分子化合物，

在對(duì)利用透射型電子顯微鏡觀察到的所述活性層的圖像進(jìn)行二值化而得到的圖像中，所述p型半導(dǎo)體材料的相與所述n型半導(dǎo)體材料的相的接合長度在每1μm²進(jìn)行了二值化的圖像面積中為130μm以上且小于200μm。

2.如權(quán)利要求1所述的光檢測元件，其中，所述n型半導(dǎo)體材料為富勒烯衍生物。

3.如權(quán)利要求1所述的光檢測元件，其中，所述p型半導(dǎo)體材料為包含具有噻吩骨架的結(jié)構(gòu)單元的高分子化合物。

4.一種圖像傳感器，其具備權(quán)利要求1所述的光檢測元件。

5.一種指紋識(shí)別裝置，其具備權(quán)利要求1所述的光檢測元件。

6.一種光檢測元件的制造方法，其是包含陽極、陰極、以及設(shè)置于該陽極與該陰極之間的活性層的光檢測元件的制造方法，所述制造方法中，

形成所述活性層的工序包括工序(i)和工序(ii)，工序(i)中，將包含p型半導(dǎo)體材料、n型半導(dǎo)體材料、以及溶劑的油墨涂布在涂布對(duì)象上而得到涂膜，所述p型半導(dǎo)體材料是聚苯乙烯換算重均分子量為40000以上200000以下的高分子化合物；工序(ii)中，從該涂膜中除去溶劑，

形成所述活性層的工序中形成下述活性層：在對(duì)利用透射型電子顯微鏡觀察到的活性層的圖像進(jìn)行二值化而得到的圖像中，所述n型半導(dǎo)體材料的相與所述p型半導(dǎo)體材料的相的接合長度在每1μm²進(jìn)行了二值化的圖像面積中為130μm以上且小于200μm。

7.如權(quán)利要求6所述的光檢測元件的制造方法，其中，所述n型半導(dǎo)體材料為富勒烯衍生物。

8.如權(quán)利要求6所述的光檢測元件的制造方法，其中，所述p型半導(dǎo)體材料為包含具有噻吩骨架的結(jié)構(gòu)單元的高分子化合物。