[發明專利]頭燈和運行方法有效
| 申請號: | 201880068072.6 | 申請日: | 2018-11-16 |
| 公開(公告)號: | CN111587343B | 公開(公告)日: | 2022-02-25 |
| 發明(設計)人: | 斯蒂芬·格勒特施;約阿希姆·雷伊爾 | 申請(專利權)人: | 歐司朗OLED股份有限公司 |
| 主分類號: | F21S41/153 | 分類號: | F21S41/153;F21S41/64;F21S41/675;F21S41/143;F21S41/255;F21S41/663;G02B19/00;G09G3/34;H01L27/15;F21S41/155;F21S41/25 |
| 代理公司: | 北京柏杉松知識產權代理事務所(普通合伙) 11413 | 代理人: | 謝攀;劉繼富 |
| 地址: | 德國雷*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 頭燈 運行 方法 | ||
1.一種頭燈(1),具有
-第一半導體芯片(31),其用于產生光,并具有多個像素(33),
-第二半導體芯片(32),其用于產生光,并具有多個像素(33),
-第一光學器件(41),其將所述第一半導體芯片(31)的光以第一成像比例引導到基礎區域(B)中,以及
-第二光學器件(42),其將所述第二半導體芯片(32)的光以第二成像比例引導到亮區域(P)中,
其中
-所述第二成像比例為所述第一成像比例的0.3倍至0.7倍,其中包括邊界值,使得所述亮區域(P)小于所述基礎區域(B),
-所述亮區域(P)至少主要位于所述基礎區域(B)之內,
-所述第一和第二半導體芯片(31、32)分別具有半導體層序列(6),所述半導體層序列包括有源區(63),并且
-所述半導體層序列(6)連續地延伸遍及各個所述半導體芯片(31、32)的全部像素(33),
-所述基礎區域(B)的水平的張角為25°至45°,其中包括邊界值,并且所述基礎區域(B)的豎直張角為5°至20°,其中包括邊界值,
-所述第一半導體芯片(31)的每個像素(33)對于所述基礎區域(B)的角分辨率為0.03°至0.4°,其中包括邊界值,并且
-所述第二半導體芯片(32)的每個像素(33)對于所述亮區域(P)的角分辨率超過所述第一半導體芯片(31)的每個像素(33)的角分辨率的至少1.5倍。
2.根據權利要求1所述的頭燈(1),
其中,所述第一半導體芯片(31)和所述第二半導體芯片(32)結構相同,
其中,所述第一和第二成像比例是不可變的,并且所述亮區域(P)完全地位于所述基礎區域(B)之內。
3.根據權利要求1所述的頭燈(1),
其中,所述第一光學裝置(41)和所述第二光學器件(42)分別包括多個透鏡,
其中,所述第一和第二光學器件(41、42)彼此獨立。
4.根據權利要求1至3之一所述的頭燈(1),
其中,所述第一光學器件(41)和所述第二光學器件(42)局部接觸。
5.根據權利要求1或2所述的頭燈(1),
其中,所述第一光學器件(41)和所述第二光學器件(42)僅部分地彼此獨立并且具有至少一個共同的元件。
6.根據權利要求5所述的頭燈(1),
其中,所述第一光學器件(41)和所述第二光學器件(42)具有共同的出射透鏡(43),產生的光在所述出射透鏡處從所述頭燈中射出,
其中,所述第一和第二光學器件(41、42)各具有一自身的光入射透鏡(44),并且
其中,所述第一半導體芯片(31)和所述第二半導體芯片(32)相對于相關的光入射透鏡(44)和相對于出射透鏡(43)偏心地布置。
7.根據權利要求1至3之一所述的頭燈(1),
其中,所述第一半導體芯片(31)和所述第二半導體芯片(32)布置在共同的載體(2)上,
其中,在俯視圖中觀察,所述第一和第二半導體芯片(31、32)之間的間距為所述第一半導體芯片(31)的對角線長度的至少一半,至多四倍。
8.根據權利要求1至3之一所述的頭燈(1),
其中,所述亮區域(P)相對于主觀察方向(M)側對稱地取向,并且所述基礎區域(B)相對于所述主觀察方向(M)不對稱地和/或偏心地取向。
9.根據權利要求1至3之一所述的頭燈(1),
其中,所述第一和第二半導體芯片(31、32)各具有30×80至320×1050個像素(33),其中包括邊界值,
其中,所述第一和第二半導體芯片(31、32)的寬高比各為2至6,其中包括邊界值。
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