[發(fā)明專利]用于控制將由設(shè)置在半導(dǎo)體上的結(jié)構(gòu)吸收的具有預(yù)定波長的輻射的量的方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201880068066.0
• 申請日: 2018-12-14
• 公開（公告）號: CN111226304A
• 公開（公告）日: 2020-06-02
• 發(fā)明（設(shè)計）人: K·程;K·T·阿拉維;A·D·威廉斯;C·J·麥克唐納;K·黃
• 申請（專利權(quán)）人: 雷聲公司
• 主分類號: H01L21/04
• 分類號: H01L21/04;H01L29/45;H01L21/263;H01L21/285
• 代理公司: 永新專利商標代理有限公司 72002
• 代理人: 劉炳勝

1.一種歐姆接觸部，包括：

提供與半導(dǎo)體的歐姆接觸部的金屬層的堆疊體，所述金屬層的堆疊體包括：

下部層，所述下部層被設(shè)置為與所述半導(dǎo)體直接接觸；以及

輻射吸收控制層，所述輻射吸收控制層被設(shè)置在所述下部層之上，所述輻射吸收控制層用于在用于對所述堆疊體與所述半導(dǎo)體進行退火以形成所述歐姆接觸部的工藝期間，在使所述堆疊體暴露于輻射期間控制將在所述輻射吸收控制層中吸收的輻射能量的量。

2.一種用于半導(dǎo)體的歐姆接觸部，包括：

提供與所述半導(dǎo)體的歐姆接觸部的層堆疊體，所述層堆疊體包括：

下部金屬層，所述下部金屬層被設(shè)置為與所述半導(dǎo)體直接接觸；

中間層，所述中間層被設(shè)置在所述下部層之上，所述中間層對具有預(yù)定波長的輻射能量具有預(yù)定能量吸收系數(shù)；以及

輻射吸收層，所述輻射吸收層被設(shè)置在所述中間層之上，所述輻射吸收層對所述輻射能量具有的預(yù)定能量吸收系數(shù)比所述中間層對所述輻射能量的所述預(yù)定能量吸收系數(shù)高至少一個數(shù)量級。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的歐姆接觸部，其中，所述輻射能量為紅外輻射能量。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的歐姆接觸部，其中，所述輻射能量包括波長的預(yù)定波段。

5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的歐姆接觸部，其中，所述中間層具有預(yù)定電阻率，并且其中，所述上部層具有的預(yù)定電阻率比所述中間層的所述預(yù)定電阻率低至少一個數(shù)量級。

6.一種使用具有預(yù)定波長的輻射來形成與半導(dǎo)體層的歐姆接觸部的方法，包括：

(A)提供歐姆接觸堆疊體，所述歐姆接觸堆疊體包括：

頂層，所述頂層包括對具有所述預(yù)定波長的輻射能量具有預(yù)定能量吸收系數(shù)的層，所述頂層的所述預(yù)定能量吸收系數(shù)是根據(jù)將由用于形成所述歐姆接觸部的所述歐姆接觸堆疊體吸收的所述輻射能量的量而選擇的；以及

導(dǎo)電層，所述導(dǎo)電層處于所述頂層下方并且與所述半導(dǎo)體層接觸；以及

(B)對所述歐姆接觸堆疊體與所述半導(dǎo)體層進行退火以形成歐姆接觸部，包括使所述堆疊體的所述頂層暴露于具有所述預(yù)定波長的所述輻射能量。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其中，所述輻射能量包括波長的預(yù)定波段。

8.一種用于形成至半導(dǎo)體層的歐姆接觸部的方法，包括：

(A)提供歐姆接觸堆疊體，所述歐姆接觸堆疊體包括：

頂層，所述頂層包括對具有預(yù)定波長的輻射能量具有預(yù)定能量吸收系數(shù)并且具有預(yù)定電阻率的金屬層；以及

導(dǎo)電層，所述導(dǎo)電層處于所述頂層下方，所述導(dǎo)電層對所述輻射能量具有的預(yù)定能量吸收系數(shù)比所述頂層的所述預(yù)定能量吸收系數(shù)低至少一個數(shù)量級，并且所述導(dǎo)電層具有的預(yù)定電阻率比所述頂層的所述預(yù)定電阻率高至少一個數(shù)量級；以及

(B)使所述歐姆接觸堆疊體與所述半導(dǎo)體層合金化以形成所述歐姆接觸部，包括使所述堆疊體的所述頂層暴露于具有所述預(yù)定波長的所述輻射能量，其中所述輻射能量的部分被所述頂層吸收。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其中，所述輻射能量包括波長的預(yù)定波段。