[發明專利]數字掩模系統、圖樣成像設備及數字掩模方法在審
| 申請號: | 201880067569.6 | 申請日: | 2018-11-02 |
| 公開(公告)號: | CN111226171A | 公開(公告)日: | 2020-06-02 |
| 發明(設計)人: | 史考特·柯林姆薩克;尼可拉斯·迪亞哥 | 申請(專利權)人: | 捷普有限公司 |
| 主分類號: | G03F1/68 | 分類號: | G03F1/68;G03F1/76;G03F7/004;G03F7/20;G03F7/207;B29C64/10;B29C64/20;B29C64/25;B29C64/264;B29C64/277 |
| 代理公司: | 北京潤平知識產權代理有限公司 11283 | 代理人: | 肖冰濱;王曉曉 |
| 地址: | 美國佛*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 數字 系統 圖樣 成像 設備 方法 | ||
1.一種數字掩模系統,適用于在一材料的至少一層上形成一圖樣圖像;其特征在于,該數字掩模系統包含:
一支撐結構,用于支撐該材料的該至少一層;及
一圖樣成像設備,包括:
一光源裝置,被組配于提供一群光分量;
一群成像裝置,被設置為分別接收所述光分量并將所述光分量轉換為各表示出一圖像的一群光束;及
一組合器,被設置為接收所述光束并將所述光束組合為一光束輸出,且該光束輸出被朝該支撐結構所支撐的該材料的該至少一層投射。
2.根據權利要求1所述的數字掩模系統,其特征在于,其中,每一成像裝置具有一最大輸入功率限制;
其中,每一光分量的功率是小于或等于該最大輸入功率限制;及
其中,所述光分量的功率的一總和是大于該最大輸入功率限制。
3.如權利要求2所述的數字掩模系統,其特征在于,其中,所述光分量所具有的波長光譜彼此實質上相同。
4.如權利要求1所述的數字掩模系統,其特征在于,其中,所述光束所表示出的所述圖像彼此相同,且被組合為該光束輸出的所述光束所表示出的所述圖像在該材料的該至少一層上彼此完全重疊。
5.如權利要求1所述的數字掩模系統,其特征在于,其中,所述成像裝置被組配成使得所述光束所表示出的其中至少一些圖像在其邊緣以外的部分彼此重疊于該材料上。
6.如權利要求1所述的數字掩模系統,其特征在于,其中,所述光分量所具有的波長光譜彼此實質上相同。
7.如權利要求1所述的數字掩模系統,其特征在于,其中,該組合器具有多個組合器組件,每一組合器組件具有一對彼此相反的連接面,以及多個各自連接所述連接面的安裝面;
其中,對于每一組合器組件,該組合器組件的所述連接面的其中一者是被連接至所述組合器組件中的另一組合器組件的其中一連接面,且所述組合器組件以串聯的方式相連接;
其中,所述成像裝置被設置成使得每一光束是通過所述組合器組件的所述安裝面的其中一個安裝面而被提供至該組合器中,且該組合器是從串聯連接的所述組合器組件的所述連接面的其中一末端的連接面輸出該光束輸出。
8.如權利要求1所述的數字掩模系統,其特征在于,其中,所述光分量的其中至少二個光分量所具有的波長光譜實質上不同。
9.如權利要求1所述的數字掩模系統,其特征在于,其中,該光源裝置還被組配于提供額外另外至少一群光分量;
其中,該圖樣成像設備還包括另外至少一群成像裝置,所述另外至少一群成像裝置的所述成像裝置被組配于分別接收所述另外至少一群光分量的所述光分量,并將所述另外至少一群光分量的所述光分量轉換為各表示出一圖像且共同構成另外至少一群光束的其他多個光束;
其中,該圖樣成像設備還包括另外至少一組合器,所述另外至少一組合器被設置為接收所述另外至少一群光束的所述光束,并將所述另外至少一群光束的所述光束組合為另外至少一光束輸出,所述另外至少一光束輸出被朝該支撐結構所支撐的該材料的該至少一層投射,且該光束輸出及所述另外至少一光束輸出被投射于該材料的該至少一層上的位置實質上不同。
10.如權利要求1所述的數字掩模系統,其特征在于,其中,所述成像裝置的其中至少兩個成像裝置是以不同的成像技術實現。
11.一種圖樣成像設備,適用于將一材料圖樣化,其特征在于,該圖樣成像設備包含:
一光源裝置,被組配于提供多個光分量;
多個成像裝置,被設置為分別接收所述光分量并將所述光分量轉換為各表示出一圖像的多個光束;及
一組合器,被設置為接收所述光束并將所述光束組合為一被朝該材料投射的光束輸出。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于捷普有限公司,未經捷普有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201880067569.6/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 同類專利
- 專利分類
G03F 圖紋面的照相制版工藝,例如,印刷工藝、半導體器件的加工工藝;其所用材料;其所用原版;其所用專用設備
G03F1-00 用于圖紋面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其專門適用于此的容器;其制備
G03F1-20 .用于通過帶電粒子束(CPB)輻照成像的掩膜或空白掩膜,例如通過電子束;其制備
G03F1-22 .用于通過100nm或更短波長輻照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射線掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制備
G03F1-36 .具有臨近校正特征的掩膜;其制備,例如光學臨近校正(OPC)設計工藝
G03F1-38 .具有輔助特征的掩膜,例如用于校準或測試的特殊涂層或標記;其制備





