[發明專利]在壓印光刻工藝中配置光學層有效
| 申請號： | 201880067545.0 | 申請日： | 2018-10-19 |
| 公開（公告）號： | CN111226143B | 公開（公告）日： | 2022-07-12 |
| 發明（設計）人： | V·辛格;M·N·米勒;F·Y·徐;S·楊 | 申請（專利權）人： | 奇躍公司 |
| 主分類號： | G02B5/18 | 分類號： | G02B5/18;G02B1/11;G03F7/00;B29C59/02 |
| 代理公司： | 北京市中咨律師事務所 11247 | 代理人： | 賀月嬌;楊曉光 |
| 地址： | 美國佛*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 壓印 光刻 工藝 配置 光學 | ||
【權利要求書】：
1.一種光學器件，包括：
第一光學層，其包括：
第一基板，
直接壓印在所述第一基板上的第一納米層，以及
沿著所述第一基板設置的第一功能圖案，其中所述第一納米層至少部分地圍繞所述第一功能圖案；以及
第二光學層，其包括：
第二基板，
直接壓印在所述第二基板上的第二納米層，以及
沿著所述第二基板設置的第二功能圖案，其中所述第二納米層至少部分地圍繞所述第二功能圖案；以及
第三光學層，其包括：
第三基板，
直接壓印在所述第三基板上的第三納米層，以及
沿著所述第三基板設置的第三功能圖案，其中所述第三納米層至少部分地圍繞所述第三功能圖案，
其中直接壓印在所述第一基板上的所述第一納米層確定所述第一基板的第一有效折射率，使得所述第一納米層增加能夠透射通過所述第一基板到達所述第二光學層的第一相對光量。
2.根據權利要求1所述的光學器件，其中所述第二納米層確定所述第二基板的第二有效折射率，使得所述第二納米層增加能夠透射通過所述第二基板到達所述第三光學層的第二相對光量。
3.根據權利要求2所述的光學器件，其中所述第一納米層和所述第二納米層被配置為使得透射通過所述第一基板和所述第二基板到達所述第三光學層的最終光量約等于從源引導到所述第一納米層的光量減去從所述第一基板反射的第一光量，且減去從所述第二基板反射的第二光量。
下載完整專利技術內容需要扣除積分，VIP會員可以免費下載。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于奇躍公司，未經奇躍公司許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201880067545.0/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
