[發明專利]接合體及絕緣電路基板在審
| 申請號： | 201880066970.8 | 申請日： | 2018-11-01 |
| 公開（公告）號： | CN111225890A | 公開（公告）日： | 2020-06-02 |
| 發明（設計）人： | 寺崎伸幸 | 申請（專利權）人： | 三菱綜合材料株式會社 |
| 主分類號： | C04B37/02 | 分類號： | C04B37/02;B23K1/00;H01L23/12;H01L23/36;B23K35/26;B23K35/28;B23K35/30;C22C9/00;C22C9/02;C22C9/06;C22C13/00;C22C21/00 |
| 代理公司： | 北京德琦知識產權代理有限公司 11018 | 代理人： | 樸圣潔;王珍仙 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 接合 絕緣 路基 | ||
【權利要求書】：
1.一種接合體，其接合由Si系陶瓷構成的陶瓷部件與由銅或銅合金構成的銅部件而成，所述接合體的特征在于，
在形成在所述陶瓷部件與所述銅部件之間的接合層中，在所述陶瓷部件側形成有由含有活性金屬的化合物構成的結晶質的活性金屬化合物層。
2.根據權利要求1所述的接合體，其特征在于，
所述活性金屬化合物層的厚度被設定在1.5nm以上且150nm以下的范圍內。
3.根據權利要求1或2所述的接合體，其特征在于，
所述活性金屬化合物層含有活性金屬的氮化物或活性金屬的氧化物中的任一種。
4.一種絕緣電路基板，其特征在于，具備權利要求1至3中任一項所述的接合體，所述絕緣電路基板具備：由所述陶瓷部件構成的陶瓷基板；和形成在該陶瓷基板的一個表面的由所述銅部件構成的電路層。
5.根據權利要求4所述的絕緣電路基板，其特征在于，
在所述陶瓷基板的與所述電路層相反的一側的表面形成有金屬層。
6.根據權利要求5所述的絕緣電路基板，其特征在于，
所述金屬層由銅或銅合金構成。
7.根據權利要求5所述的絕緣電路基板，其特征在于，
所述金屬層由鋁或鋁合金構成。
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