[發(fā)明專(zhuān)利]攝像器件和電子設(shè)備

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201880066968.0
• 申請(qǐng)日: 2018-10-26
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN111226318A
• 公開(kāi)（公告）日: 2020-06-02
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 平松克規(guī)
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 索尼半導(dǎo)體解決方案公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01L27/146
• 分類(lèi)號(hào): H01L27/146;H01L21/76;H04N5/369
• 代理公司: 北京信慧永光知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11290
• 代理人: 陳桂香;曹正建

本技術(shù)涉及能夠抑制暗電流的攝像器件和電子設(shè)備。它們包括：被構(gòu)造成執(zhí)行光電轉(zhuǎn)換的光電轉(zhuǎn)換單元；在半導(dǎo)體基板中挖出的溝槽；在所述溝槽的側(cè)壁上由氧化物膜、氮膜和氧化物膜構(gòu)成的負(fù)固定電荷膜；以及形成在所述固定電荷膜內(nèi)的電極膜。用于構(gòu)成所述固定電荷膜的所述氧化物膜包括SiO(一氧化硅)，用于構(gòu)成所述固定電荷膜的所述氮膜包括SiN(氮化硅)。用于構(gòu)成所述固定電荷膜的所述氮膜也可以包括多晶硅膜或高k膜(高介電常數(shù)膜)。本技術(shù)可以應(yīng)用于例如背面照射型CMOS圖像傳感器。

技術(shù)領(lǐng)域

本技術(shù)涉及攝像器件和電子設(shè)備，并且特別地涉及能夠抑制暗電流的攝像器件和電子設(shè)備。

背景技術(shù)

配備于固態(tài)攝像裝置中的互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)圖像傳感器通常包括與各個(gè)像素對(duì)應(yīng)設(shè)置著的例如光電二極管和晶體管等器件。此外，作為CMOS圖像傳感器，已經(jīng)提出了以下兩種構(gòu)造(請(qǐng)參考專(zhuān)利文獻(xiàn)1)：在一種構(gòu)造中，包括位于各個(gè)像素之間的用于將相鄰的像素電氣隔離的深溝槽隔離部(DTI：deep trench isolation)，而在另一種構(gòu)造中，包括將像素中帶電的靜電傳導(dǎo)到像素外部的子接點(diǎn)(sub-contact)。

如果各個(gè)像素都設(shè)置有DTI和子接點(diǎn)，則各個(gè)像素中的器件形成面積就減小了。曾經(jīng)提出了一種促使各個(gè)像素中的器件形成面積增大且將像素中帶電的靜電排出到像素外部的構(gòu)造(請(qǐng)參考專(zhuān)利文獻(xiàn)2)。

專(zhuān)利文獻(xiàn)2中的固態(tài)攝像裝置被構(gòu)造成包括：光電二極管；像素隔離部；導(dǎo)電性構(gòu)件；以及絕緣膜，其覆蓋著該導(dǎo)電性構(gòu)件的除了該導(dǎo)電性構(gòu)件的另一表面?zhèn)壬系囊徊糠种獾闹芟虮砻妗Ｔ搶?dǎo)電性構(gòu)件的端部連接至接地。

引用文獻(xiàn)列表

專(zhuān)利文獻(xiàn)

專(zhuān)利文獻(xiàn)1：日本專(zhuān)利申請(qǐng)?zhí)亻_(kāi)第2014-96490號(hào)公報(bào)

專(zhuān)利文獻(xiàn)2：日本專(zhuān)利申請(qǐng)?zhí)亻_(kāi)第2017-54890號(hào)公報(bào)

發(fā)明內(nèi)容

[本發(fā)明要解決的問(wèn)題]

目前還期望抑制圖像傳感器中的暗電流。

本技術(shù)是鑒于上述情形而做出的，并且本技術(shù)能夠?qū)崿F(xiàn)抑制暗電流。

[解決問(wèn)題的技術(shù)方案]

根據(jù)本技術(shù)的一個(gè)方面，提供了一種攝像器件，其包括：被構(gòu)造成執(zhí)行光電轉(zhuǎn)換的光電轉(zhuǎn)換單元；在半導(dǎo)體基板中挖出的溝槽；在所述溝槽的側(cè)壁上由氧化物膜、氮膜和氧化物膜構(gòu)成的負(fù)固定電荷膜；以及在所述固定電荷膜中形成的電極膜。

根據(jù)本技術(shù)的一個(gè)方面，提供了一種電子設(shè)備，其配備有上述攝像器件。

在根據(jù)本技術(shù)的一個(gè)方面的攝像器件中，包括：被構(gòu)造成執(zhí)行光電轉(zhuǎn)換的光電轉(zhuǎn)換單元；在半導(dǎo)體基板中挖出的溝槽；在所述溝槽的側(cè)壁上由氧化物膜、氮膜和氧化物膜構(gòu)成的負(fù)固定電荷膜；以及在所述固定電荷膜中形成的電極膜。

在根據(jù)本技術(shù)的一個(gè)方面的電子設(shè)備中，配備有上述攝像器件。

[本發(fā)明的有益效果]

根據(jù)本技術(shù)的一方面，能夠抑制暗電流。

順便提及，這里說(shuō)明的效果并非是限制性的，而是可以發(fā)揮出本公開(kāi)中說(shuō)明的任何效果。

附圖說(shuō)明

圖1是示出了攝像裝置的構(gòu)造示例的圖。

圖2是示出了攝像器件的構(gòu)造示例的圖。

圖3是示出了本技術(shù)適用的像素的一個(gè)構(gòu)造示例的垂直方向截面圖。

圖4是本技術(shù)適用的像素的前表面?zhèn)鹊钠矫鎴D。

圖5是像素的電路圖。