[發(fā)明專利]改進(jìn)數(shù)據(jù)完整性的NAND單元編碼

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201880066934.1
• 申請(qǐng)日: 2018-08-30
• 公開（公告）號(hào): CN111226280A
• 公開（公告）日: 2020-06-02
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: T·M·斯蒂什凱;P·湯姆森;S·A·斯托勒;C·比布;J·黃;K·坦派羅;H·R·桑吉迪
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 美光科技公司
• 主分類號(hào): G11C16/08
• 分類號(hào): G11C16/08;G11C16/30;G11C7/04
• 代理公司: 北京律盟知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11287
• 代理人: 王龍

1.一種用于NAND單元編碼的NAND裝置，所述NAND裝置包括：

NAND單元；及

控制器，其用以：

獲得高溫指示符；

接收寫入操作；及

響應(yīng)于所述高溫指示符而使用經(jīng)修改編碼對(duì)NAND單元執(zhí)行所述寫入操作，所述經(jīng)修改編碼包含來自未修改編碼的減少數(shù)目個(gè)電壓分布位置而未改變電壓分布寬度，電壓分布的位置定義為電壓范圍的集中趨勢，所述電壓范圍由所述集中趨勢的寬度的一半內(nèi)的值所定界，每一電壓分布對(duì)應(yīng)于離散編碼狀態(tài)集合。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的NAND裝置，其中所述經(jīng)修改編碼包含從所述未修改編碼中的第一位置到所述經(jīng)修改編碼中的第二位置的不同電壓分布位置。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的NAND裝置，其中所述第二位置在經(jīng)定義電壓范圍內(nèi)。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的NAND裝置，其中設(shè)置由所述未修改編碼的所述離散狀態(tài)集合中對(duì)應(yīng)于所述電壓分布位置的狀態(tài)的讀取電壓定義的所述電壓范圍。

5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的NAND裝置，其中所述第二位置增加所述電壓分布的讀取邊限。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的NAND裝置，其中所述未修改編碼具有八個(gè)離散狀態(tài)。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的NAND裝置，其中所述經(jīng)修改編碼具有四個(gè)離散狀態(tài)。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的NAND裝置，其中分兩遍執(zhí)行所述寫入操作，所述第一遍根據(jù)所述未修改編碼的參數(shù)操作，且所述第二遍操作以進(jìn)行所述經(jīng)修改編碼。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的NAND裝置，其中所述四個(gè)離散狀態(tài)對(duì)應(yīng)于來自所述八個(gè)離散狀態(tài)的狀態(tài)三、狀態(tài)四及狀態(tài)七，所述狀態(tài)按電壓從低到高排序。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的NAND裝置，其中所述控制器經(jīng)布置以使用所述未修改編碼對(duì)所述NAND單元執(zhí)行讀取操作。

11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的NAND裝置，其中所述控制器經(jīng)布置以：

獲得所述高溫指示符的清除；

對(duì)所述NAND單元執(zhí)行維護(hù)以釋放所述NAND單元用于另一寫入操作；

接收第二寫入操作；及

響應(yīng)于所述高溫指示符的清除而使用所述未修改編碼對(duì)所述NAND單元執(zhí)行所述第二寫入操作。

12.一種用于NAND單元編碼的方法，所述方法包括：

獲得高溫指示符；

接收寫入操作；及

響應(yīng)于所述高溫指示符而使用經(jīng)修改編碼對(duì)NAND單元執(zhí)行所述寫入操作，所述經(jīng)修改編碼包含來自未修改編碼的減少數(shù)目個(gè)電壓分布位置而未改變電壓分布寬度，電壓分布的位置定義為電壓范圍的集中趨勢，所述電壓范圍由所述集中趨勢的寬度的一半內(nèi)的值所定界，每一電壓分布對(duì)應(yīng)于離散編碼狀態(tài)集合。

13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其中所述經(jīng)修改編碼包含將電壓分布位置從所述未修改編碼中的第一位置改變到所述經(jīng)修改編碼中的第二位置。

14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法，其中所述第二位置在經(jīng)定義電壓范圍內(nèi)。

15.根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法，其中設(shè)置由所述未修改編碼的所述離散狀態(tài)集合中對(duì)應(yīng)于所述電壓分布位置的狀態(tài)的讀取電壓定義的所述電壓范圍。

16.根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法，其中所述第二位置增加所述電壓分布的讀取邊限。

17.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其中所述未修改編碼具有八個(gè)離散狀態(tài)。