[發(fā)明專利]真延時波束形成器模塊及其制造方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201880066411.7
• 申請日: 2018-08-21
• 公開（公告）號: CN111201668B
• 公開（公告）日: 2021-03-26
• 發(fā)明（設計）人: 約瑟夫·艾爾弗雷德·伊恩諾蒂;克里斯托弗·詹姆斯·卡普斯塔
• 申請（專利權）人: 通用電氣公司
• 主分類號: H01Q3/26
• 分類號: H01Q3/26
• 代理公司: 北京康信知識產權代理有限責任公司 11240
• 代理人: 王紅艷

1.一種波束形成器模塊，包括：

封裝基座；

封裝在所述封裝基座中的至少一條真延時(TTD)曲折線和至少一條RF信號傳輸線；以及

第一TTD模塊，附接到所述封裝基座并且包括信號輸入、信號輸出、多條延時線以及多個開關元件，所述第一TTD模塊的所述多個開關元件被配置為通過選擇性地激活所述第一TTD模塊的所述多條延時線來限定所述第一TTD模塊的所述信號輸入與所述信號輸出之間的信號傳輸路徑；

其中，所述第一TTD模塊的至少一條延時線電耦接到封裝在所述封裝基座中的所述至少一條TTD曲折線；以及

其中，所述第一TTD模塊的所述信號輸入和所述信號輸出電耦接到所述至少一條RF信號傳輸線。

2.根據權利要求1所述的波束形成器模塊，還包括密封到所述封裝基座的蓋；并且

其中，所述第一TTD模塊位于形成在所述封裝基座與所述蓋之間的密封腔內。

3.根據權利要求2所述的波束形成器模塊，還包括：

高密度互連(HDI)電路，耦接到所述蓋；以及

控制器，經由嵌入在所述HDI電路和所述封裝基座中的信號線電耦接到所述第一TTD模塊。

4.根據權利要求1所述的波束形成器模塊，其中，所述封裝基座包括互連結構，所述互連結構包括形成在多個絕緣層之間并穿過所述多個絕緣層的多個導電布線路徑。

5.根據權利要求1所述的波束形成器模塊，還包括第二TTD模塊，所述第二TTD模塊附接到所述封裝基座并且包括信號輸入、信號輸出、多條延時線以及多個開關元件，所述第二TTD模塊的所述多個開關元件被配置為通過選擇性地激活所述第二TTD模塊的所述多條延時線來耦接所述第二TTD模塊的所述信號輸入和所述第二TTD模塊的所述信號輸出；

其中，所述第二TTD模塊的至少一條延時線耦接到封裝在所述封裝基座中的所述至少一條TTD曲折線。

6.根據權利要求5所述的波束形成器模塊，還包括信號組合器，所述信號組合器集成在所述封裝基座中并且電耦接到所述第一TTD模塊和所述第二TTD模塊中的每一個。

7.根據權利要求1所述的波束形成器模塊，還包括嵌入在所述封裝基座的外部表面中的天線元件，所述天線元件經由所述RF傳輸線電耦接到所述第一TTD模塊。

8.根據權利要求7所述的波束形成器模塊，還包括放大器，所述放大器附接到所述封裝基座并且將所述第一TTD模塊電耦接到所述天線元件。

9.根據權利要求1所述的波束形成器模塊，其中，所述封裝基座由陶瓷層和玻璃層中的至少一個形成。

10.根據權利要求1所述的波束形成器模塊，其中，電耦接到所述至少一條TTD曲折線的所述第一TTD模塊的所述至少一條延時線包括：

第一片上部分，耦接在所述多個開關元件的第一開關元件與所述第一TTD模塊的第一接合焊盤之間；以及

第二片上部分，耦接在所述多個開關元件的第二開關元件與所述第一TTD模塊的第二接合焊盤之間；并且

其中，所述至少一條TTD曲折線電耦接到所述第一接合焊盤和所述第二接合焊盤。

11.一種制造波束形成器模塊的方法，包括：

將至少一條延時線和至少一條RF信號傳輸線封裝在封裝主體內；

將至少一個真延時(TTD)模塊布置在所述封裝主體的表面上，所述至少一個TTD模塊具有多條延時線；

將所述至少一個TTD模塊中的至少一條延時線電耦接到所述封裝主體中的至少一條延時線；以及

將所述至少一個TTD模塊的信號輸入和信號輸出電耦接到所述至少一條RF信號傳輸線。

12.根據權利要求11所述的方法，還包括將蓋耦接到所述封裝主體以形成容納所述至少一個TTD模塊的密封的密封腔。