[發(fā)明專利]等離子體處理方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201880064580.7
• 申請日: 2018-09-26
• 公開（公告）號: CN111164739A
• 公開（公告）日: 2020-05-15
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 巖下伸也;菊地貴倫;野呂尚孝;長谷川敏夫;守屋剛
• 申請（專利權(quán)）人: 東京毅力科創(chuàng)株式會社
• 主分類號: H01L21/3065
• 分類號: H01L21/3065;C23C16/44;C23C16/505;H01L21/31;H05H1/46
• 代理公司: 北京尚誠知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11322
• 代理人: 龍淳;徐飛躍

1.一種在等離子體處理裝置中執(zhí)行的等離子體處理方法，其特征在于：

所述等離子體處理裝置包括：

腔室主體；

氣體供給部，其向所述腔室主體內(nèi)所形成的內(nèi)部空間供給氣體；

包含下部電極的支承臺，其設(shè)置在所述內(nèi)部空間之中，能夠支承載置于其上的基片；

設(shè)置在所述支承臺的上方的上部電極；

供給高頻以在所述內(nèi)部空間之中生成等離子體的高頻電源；

相位調(diào)節(jié)電路，其相對于所述上部電極的電壓的相位，相對地調(diào)節(jié)所述下部電極的電壓的相位；和

以與所述內(nèi)部空間可連通的方式設(shè)置的排氣裝置，

該等離子體處理方法在基片被載置于所述支承臺上的狀態(tài)下被執(zhí)行，包括：

對所述基片執(zhí)行等離子體處理的步驟，在該步驟中，為了執(zhí)行該等離子體處理，從所述氣體供給部向所述內(nèi)部空間供給氣體，并從所述高頻電源供給高頻以激發(fā)該氣體來生成等離子體；

用所述相位調(diào)節(jié)電路，相對于所述上部電極的電壓的相位相對地調(diào)節(jié)所述下部電極的電壓的相位，以使得在使執(zhí)行等離子體處理的所述步驟中所生成的所述等離子體不消失的情況下使所述支承臺與所述等離子體之間的鞘層的厚度增大的步驟；和

在執(zhí)行了調(diào)節(jié)相位的所述步驟之后，在停止了所述高頻的供給的狀態(tài)下，使用所述排氣裝置將所述內(nèi)部空間之中的氣體和顆粒排出的步驟。

2.如權(quán)利要求1所述的等離子體處理方法，其特征在于：

在調(diào)節(jié)相位的所述步驟中，用所述相位調(diào)節(jié)電路，相對于所述上部電極的所述電壓的所述相位相對地調(diào)節(jié)所述下部電極的所述電壓的所述相位，以使得所述鞘層相對于執(zhí)行等離子體處理的所述步驟的執(zhí)行期間且調(diào)節(jié)相位的所述步驟執(zhí)行前的所述鞘層的厚度，具有1.246倍以上的厚度。

3.如權(quán)利要求1或2所述的等離子體處理方法，其特征在于：

所述上部電極包括：在所述支承臺的上方延伸的第1部分；和在該支承臺與所述腔室主體的側(cè)壁之間的空間的上方延伸的第2部分，

所述第2部分比所述第1部分更向下方凸出。