[發(fā)明專利]在AEF區(qū)域內(nèi)原位進行束膜穩(wěn)定或去除的系統(tǒng)和方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201880062832.2 | 申請日： | 2018-10-09 |
| 公開（公告）號： | CN111149187A | 公開（公告）日： | 2020-05-12 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 陶天照;大衛(wèi)·柯克伍德 | 申請（專利權(quán)）人： | 艾克塞利斯科技公司 |
| 主分類號： | H01J37/317 | 分類號： | H01J37/317 |
| 代理公司： | 北京中原華和知識產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11019 | 代理人： | 劉新宇;壽寧 |
| 地址： | 美國馬薩諸*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | aef 區(qū)域內(nèi) 原位 進行 穩(wěn)定 去除 系統(tǒng) 方法 | ||
1.一種離子注入系統(tǒng)，其包括：
離子源，所述離子源配置為形成離子束；
角能量濾波器(AEF)，所述角能量濾波器具有與之相關(guān)聯(lián)的AEF區(qū)域；以及
氣體源，所述氣體源配置為將氣體供應(yīng)到所述AEF區(qū)域，其中，所述氣體源配置為通過膜與氣體的反應(yīng)而鈍化和/或蝕刻留存于所述AEF上的膜。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的離子注入系統(tǒng)，其中，所述氣體源包括配置為選擇性將相應(yīng)的氧化氣體和含氟氣體供應(yīng)到所述AEF區(qū)域的氧化氣體源和含氟氣體源中的一個或多個氣體源。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的離子注入系統(tǒng)，其中，所述含氟氣體包括NF3和XeF2中的一種或多種氣體。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的離子注入系統(tǒng)，其中，所述氧化氣體包括空氣和水汽中的一種或多種氣體。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的離子注入系統(tǒng)，其中，所述氣體源配置為在形成離子束的同時選擇性將氣體供應(yīng)到所述AEF區(qū)域，且其中，與離子束相關(guān)聯(lián)的熱量配置為加熱所述AEF以輔助鈍化和/或蝕刻留存于所述AEF上的膜。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的離子注入系統(tǒng)，進一步包括與所述AEF相關(guān)聯(lián)的歧管分配器，其中，所述AEF包括一個或多個AEF電極，且其中，所述歧管分配器操作性耦接至所述氣體源并配置為將氣體供應(yīng)到所述一個或多個AEF電極。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的離子注入系統(tǒng)，其中，所述歧管分配器包括管，所述管具有限定于其中的多個孔，其中，所述多個孔配置為將氣體分散到所述一個或多個AEF電極。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的離子注入系統(tǒng)，進一步包括配置為選擇性加熱所述AEF的輔助加熱器。
9.一種離子注入系統(tǒng)，其包括：
離子源，所述離子源配置為形成離子束；
定位于所述離子源下游的一個或多個組件；以及
氣體源，所述氣體源配置為將氣體供應(yīng)到與相應(yīng)一個或多個組件相關(guān)聯(lián)的一個或多個區(qū)域，其中，所述氣體源配置為通過膜與氣體的反應(yīng)而鈍化和/或蝕刻留存于所述一個或多個組件上的膜。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的離子注入系統(tǒng)，其中，所述一個或多個組件包括角能量濾波器(AEF)。
11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的離子注入系統(tǒng)，其中，所述氣體源包括配置為選擇性將相應(yīng)的氧化氣體和含氟氣體供應(yīng)到所述一個或多個區(qū)域的氧化氣體源和含氟氣體源中的一個或多個氣體源。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的離子注入系統(tǒng)，其中，所述含氟氣體包括NF3和XeF2中的一種或多種氣體。
13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的離子注入系統(tǒng)，其中，所述氧化氣體包括空氣和水汽中的一種或多種氣體。
14.根據(jù)權(quán)利要求9所述的離子注入系統(tǒng)，其中，所述氣體源配置為在形成離子束的同時選擇性將氣體供應(yīng)到所述一個或多個區(qū)域，且其中，與離子束相關(guān)聯(lián)的熱量配置為加熱所述一個或多個組件以輔助鈍化和/或蝕刻留存于所述一個或多個組件上的膜。
15.根據(jù)權(quán)利要求1所述的離子注入系統(tǒng)，進一步包括輔助加熱器，所述輔助加熱器配置為選擇性加熱所述一個或多個組件并加速膜與氣體的反應(yīng)。
16.一種減輕離子注入系統(tǒng)的一個或多個組件上沉積膜的方法，所述方法包括：
將氣體供應(yīng)到與相應(yīng)一個或多個組件相關(guān)聯(lián)的一個或多個區(qū)域，其中，所述氣體配置為通過膜與氣體的反應(yīng)而鈍化和/或蝕刻留存于所述一個或多個組件上的膜。
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