[發明專利]集成輻射探測器設備在審
| 申請號： | 201880062802.1 | 申請日： | 2018-09-24 |
| 公開（公告）號： | CN111149208A | 公開（公告）日： | 2020-05-12 |
| 發明（設計）人： | 彼得里·海基寧;米科·馬蒂卡拉 | 申請（專利權）人： | 芬蘭探測技術股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L27/146 | 分類號： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 北京安信方達知識產權代理有限公司 11262 | 代理人： | 張少波;楊明釗 |
| 地址： | 芬蘭*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 集成 輻射 探測器 設備 | ||
1.一種設備，包括：
閃爍體層，所述閃爍體層被配置為將x射線或伽馬射線光子轉換成可見光的光子；
光電二極管層，所述二極管層被配置為將所述閃爍體層產生的可見光轉換成電流；
集成電路IC層，所述IC層位于所述光電二極管層下方，并被配置為接收和處理所述電流；
其中，所述IC層的電觸點使用引線接合被連接到所述光電二極管層的電觸點；
并且其中，所述引線接合被保護材料覆蓋，同時所述IC層的底部至少部分地暴露。
2.根據權利要求1所述的設備，其中，所述設備還包括位于所述IC層下方的散熱器。
3.根據任一前述權利要求所述的設備，其中，所述IC層的底表面與所述散熱器直接接觸。
4.根據任一前述權利要求所述的設備，其中，所述散熱器還被配置為加固物。
5.根據任一前述權利要求所述的設備，其中，所述設備還包括位于所述光電二極管層和所述IC層之間的x射線阻擋層。
6.根據任一前述權利要求所述的設備，其中，所述IC層的電觸點直接連接到所述光電二極管層的電觸點。
7.根據任一前述權利要求所述的設備，其中，所述光電二極管層還包括再分布層。
8.根據任一前述權利要求所述的設備，其中，所述引線接合使用薄膜輔助模制來覆蓋。
9.根據任一前述權利要求所述的設備，其中，所述IC層包括堆疊的IC芯片的多個層。
10.根據任一前述權利要求所述的設備，其中，所述設備包括瓦片。
11.一種探測器，其包括根據任一前述權利要求的瓦片的陣列。
12.一種成像系統，包括：
高能輻射源；
根據任一前述權利要求所述的探測器。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的；包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的；包括有熱磁組件的
