[發明專利]利用太赫茲輻射捕獲用于構成圖像的點值的系統

在審

• 申請號: 201880062090.3
• 申請日: 2018-07-24
• 公開（公告）號: CN111373241A
• 公開（公告）日: 2020-07-03
• 發明（設計）人: C·阿奇耶;B·穆林
• 申請（專利權）人: 特拉卡利斯
• 主分類號: G01N21/3581
• 分類號: G01N21/3581
• 代理公司: 北京市浩天知識產權代理事務所(普通合伙) 11276
• 代理人: 劉云貴

1.一種捕獲用于構成圖像的點值的設備(40、42、44)，其特征在于，所述設備包括：

-非相干光源(100)，其頻率在0.075THz至10THz之間，用于照射物體；

-來自所述物體的輻射的傳感器(415、470)，所述傳感器包括對來自所述非相干光源的輻射敏感的區域，并且所述傳感器發出代表來自所述非相干光源并到達所述傳感器的敏感區域的光線的強度的電信號；以及

-光圈數(焦比)小于1的至少一個光學聚焦系統(400、410、420、430、440、450)，所述光學聚焦系統位于光線的光路上，所述光線由所述非相干光源發出并且從所述非相干光源經過所述物體傳播到光線的傳感器。

2.根據權利要求1所述的設備(40、42、44)，其中，所述非相干光源(100)以足夠寬的發射光譜照射所述物體，以在比所述傳感器的采集時間短的時間段內掃描駐波。

3.根據權利要求1或2所述的設備(40、42、44)，其中，所述非相干光源具有幾個GHz的帶寬。

4.根據權利要求1至3中任一項所述的設備(40、42、44)，其中，所述非相干光源在-100dB的帶寬至少等于12GHz。

5.根據權利要求1至4中任一項所述的設備(40、42、44)，其中，至少一個光學系統包括非球面光學透鏡。

6.根據權利要求5所述的設備(40、42、44)，其中，在所述非相干光源的頻率范圍，用于所述光學透鏡的材料的指數的為百分率的散射小于1％。

7.根據權利要求5或6所述的設備(40、42、44)，其中，在所述非相干光源的頻率范圍，從100到300GHz，用于所述光學透鏡的材料的指數的為百分率的散射為0.2％。

8.根據權利要求5至7中任一項所述的設備(40、42、44)，其中，在所述非相干光源的頻率范圍，從100到700GHz，用于所述光學透鏡的材料的指數的為百分率的散射0.5％。

9.根據權利要求1至8中任一項所述的設備(40、42、44)，其中，光學系統的至少一個光學元件具有抗反射處理，所述抗反射處理包括呈錐體或凹坑形式的微結構。

10.根據權利要求1至9中任一項所述的設備(40、42、44)，其中，至少一個光學系統包括光學透鏡，所述非相干光源(100)被配置為照射最靠近所述非相干光源的光學透鏡的全部。

11.根據權利要求1至10中任一項所述的設備(40、42、44)，其中，所述非相干光源(100)的發射頻率是被調制的。

12.根據權利要求1至11中任一項所述的設備(40、42、44)，其中，所述非相干光源(100)包括電阻器或IMPATT二極管中的熱型噪聲源。

13.根據權利要求1至12中任一項所述的設備(40、42、44)，其中，所述設備包括接近電子器件，以經由接近所述納米晶體管的擺動電壓的柵極電壓使包括光敏區域的納米晶體管偏振，其中所述晶體管的標準操作是最非線性的。

14.根據權利要求13所述的設備(40、42、44)，其中，通過在漏極和源極之間向所述納米晶體管溝道注入電流，迫使所述納米晶體管溝道中的負載不對稱和/或使用金屬化圖案作為天線，來放大來自所述納米晶體管的整流信號。

15.根據權利要求13或14所述的設備(40、42、44)，其中，所述整流信號是以共模或差模測量的所述納米晶體管的漏極與源極之間的連續電位差。