[發(fā)明專利]用于電荷捕獲結(jié)構(gòu)的空隙形成

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201880061490.2
• 申請日: 2018-08-02
• 公開（公告）號: CN111164756A
• 公開（公告）日: 2020-05-15
• 發(fā)明（設(shè)計）人: C·M·卡爾森
• 申請（專利權(quán)）人: 美光科技公司
• 主分類號: H01L27/11582
• 分類號: H01L27/11582;H01L27/11568
• 代理公司: 北京律盟知識產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11287
• 代理人: 王龍

1.一種設(shè)備，其包括：

電荷捕獲結(jié)構(gòu)，其安置于襯底上方，所述電荷捕獲結(jié)構(gòu)包含：

半導(dǎo)體柱，其可用于傳導(dǎo)電流；

電荷捕獲區(qū)，其通過隧道區(qū)與所述半導(dǎo)體柱分隔開；

介電阻隔區(qū)，其鄰近所述電荷捕獲區(qū)；

柵極，其鄰接于所述介電阻隔區(qū)，所述柵極可用于控制電荷在所述電荷捕獲區(qū)中的存儲，所述柵極的至少一部分通過至少一空隙與相鄰柵極的至少一部分分隔開；及

介電屏障，其在所述介電阻隔區(qū)與所述柵極之間。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其中所述空隙容納于以下各者內(nèi)：所述介電屏障的至少一部分、所述柵極的至少一部分、所述相鄰柵極的至少一部分，及所述柵極上的介電區(qū)的至少一部分。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其中所述介電屏障在所述介電阻隔區(qū)與所述柵極之間具有在約15埃至約50埃的范圍內(nèi)的厚度。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其中所述隧道區(qū)為一個、兩個或三個介電區(qū)的布置。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的設(shè)備，其中所述電荷捕獲區(qū)為氮化物區(qū)，所述阻隔介電區(qū)為氧化物區(qū)，所述隧道區(qū)包含氧化物及氮化物，所述半導(dǎo)體柱包含多晶硅，且所述介電屏障包含氧化鋁或具有比氧化鋁的介電常數(shù)大的介電常數(shù)的電介質(zhì)。

6.一種存儲器裝置，其包括：

存儲器單元串，其包含半導(dǎo)體材料的豎直柱；及

多個電荷捕獲結(jié)構(gòu)，其布置于豎直堆疊中，其中每一電荷捕獲結(jié)構(gòu)豎直地鄰近所述豎直堆疊中的所述多個電荷捕獲結(jié)構(gòu)中的另一者，每一電荷捕獲結(jié)構(gòu)包含：

隧道區(qū)，其鄰近且接觸所述豎直柱；

電荷捕獲區(qū)，其鄰近且接觸所述隧道區(qū)；

介電阻隔區(qū)，其鄰近且接觸所述電荷捕獲區(qū)；

柵極，所述柵極的至少一部分通過至少一空隙與相鄰電荷捕獲結(jié)構(gòu)的所述柵極的至少一部分分隔開；及

介電屏障，其在所述介電阻隔區(qū)與所述柵極之間。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的存儲器裝置，其中所述空隙容納于以下各者內(nèi)：所述介電屏障的至少一部分、所述電荷捕獲結(jié)構(gòu)的所述柵極的至少一部分上的介電區(qū)的至少一部分，及也在所述相鄰電荷捕獲結(jié)構(gòu)的所述柵極的至少一部分上的所述介電區(qū)的至少一部分。

8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的存儲器裝置，其中所述隧道區(qū)沿半導(dǎo)體材料的所述豎直柱延伸且延伸通過其它電荷捕獲結(jié)構(gòu)作為所述串中的每一電荷捕獲結(jié)構(gòu)的所述隧道區(qū)。

9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的存儲器裝置，其中所述電荷捕獲區(qū)沿半導(dǎo)體材料的所述豎直柱延伸且延伸通過其它電荷捕獲結(jié)構(gòu)作為所述串中的每一電荷捕獲結(jié)構(gòu)的所述電荷捕獲區(qū)。

10.根據(jù)權(quán)利要求6所述的存儲器裝置，其中所述介電阻隔區(qū)沿半導(dǎo)體材料的所述豎直柱延伸且延伸通過其它電荷捕獲結(jié)構(gòu)作為所述串中的每一電荷捕獲結(jié)構(gòu)的所述介電阻隔區(qū)。

11.根據(jù)權(quán)利要求6所述的存儲器裝置，其中所述介電屏障包含氧化鋁。

12.根據(jù)權(quán)利要求6所述的存儲器裝置，其中所述介電屏障包含具有比氧化鋁的介電常數(shù)大的介電常數(shù)的介電材料。

13.根據(jù)權(quán)利要求6所述的存儲器裝置，其中所述豎直柱被結(jié)構(gòu)化為摻雜中空溝道。

14.根據(jù)權(quán)利要求6所述的存儲器裝置，其中所述豎直柱包含包圍介電材料的多晶硅。

15.根據(jù)權(quán)利要求6所述的存儲器裝置，其中所述柵極并入于所述存儲器裝置的存儲器陣列的存取線中。