[發明專利]用于制造液晶取向膜的方法

有效

• 申請號: 201880061246.6
• 申請日: 2018-09-21
• 公開（公告）號: CN111107995B
• 公開（公告）日: 2022-03-18
• 發明（設計）人: 樸正岵;辛富建;許殷奎
• 申請（專利權）人: 株式會社LG化學
• 主分類號: B32B38/00
• 分類號: B32B38/00;B32B38/10;B32B7/12
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 梁笑;尚光遠

1.一種用于制造液晶取向膜的方法，所述方法包括：

制備其中依次設置有基底、導電層、液晶取向層和鈍化膜的多層結構；

通過向所述多層結構照射脈沖激光來蝕刻所述液晶取向層的一個區域；以及

通過除去所述鈍化膜而使所述導電層的一個區域暴露，

其中從所述鈍化膜向所述液晶取向層照射所述脈沖激光，

其中所述導電層的一個區域的所述暴露通過除去所述鈍化膜連同通過所述脈沖激光的照射而蝕刻的所述液晶取向層的殘留物來進行。

2.根據權利要求1所述的方法，其中所述基底為聚合物基底。

3.根據權利要求1所述的方法，其中所述鈍化膜在343nm的波長下的透光率為50％或更大。

4.根據權利要求1所述的方法，其中所述多層結構還包括所述鈍化膜與所述液晶取向層之間的粘合劑層。

5.根據權利要求1所述的方法，其中所述多層結構還包括所述導電層與所述液晶取向層之間的兩個或更多個隔開的間隔物。

6.根據權利要求5所述的方法，其中所述間隔物為柱間隔物或珠間隔物。

7.根據權利要求1所述的方法，其中在與所述鈍化膜相鄰的所述液晶取向層的表面上聚集地照射所述脈沖激光。

8.根據權利要求1所述的方法，其中所述脈沖激光為皮秒激光。

9.根據權利要求1所述的方法，其中所述脈沖激光的最大脈沖能量為50μJ或更大且100μJ或更小，以及

所述脈沖激光的脈沖能量為所述最大脈沖能量的5％或更大且15％或更小。

10.根據權利要求1所述的方法，其中所述脈沖激光的頻率為10kHz或更大且400kHz或更小。

11.根據權利要求1所述的方法，其中所述脈沖激光的光斑間隔為10μm或更大且100μm或更小。

12.根據權利要求1所述的方法，其中所述脈沖激光的照射速度為0.1m/秒或更大且10m/秒或更小。