[發(fā)明專利]對(duì)阻隔區(qū)具有屏障的電荷捕獲結(jié)構(gòu)

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201880060886.5
• 申請(qǐng)日: 2018-08-02
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN111149205A
• 公開(kāi)（公告）日: 2020-05-12
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: C·M·卡爾森
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 美光科技公司
• 主分類號(hào): H01L27/11551
• 分類號(hào): H01L27/11551;H01L27/11524;H01L27/11529;H01L27/11578;H01L27/1157;H01L21/768
• 代理公司: 北京律盟知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11287
• 代理人: 王龍

本文中所揭示的各種實(shí)施例包含具有電荷捕獲結(jié)構(gòu)的方法及設(shè)備，其中每一電荷捕獲結(jié)構(gòu)包含在所述電荷捕獲結(jié)構(gòu)的柵極與電荷捕獲區(qū)上的阻隔電介質(zhì)之間的介電屏障。在各種實(shí)施例中，所述電荷捕獲結(jié)構(gòu)中的每一者的所述介電屏障的材料可具有比氧化鋁的介電常數(shù)大的介電常數(shù)。揭示了額外設(shè)備、系統(tǒng)及方法。

優(yōu)先權(quán)申請(qǐng)案

本申請(qǐng)案主張2017年8月11日申請(qǐng)的第15/675,223號(hào)美國(guó)申請(qǐng)案的優(yōu)先權(quán)益，所述美國(guó)申請(qǐng)案的全文以引用的方式并入本文中。

背景技術(shù)

電子工業(yè)處于減小組件大小以及電力要求兩者的恒定壓力下，且具有改進(jìn)存儲(chǔ)器裝置的操作的市場(chǎng)驅(qū)動(dòng)需求。一種減小組件大小的方法為以三維(3D)配置制造裝置。舉例來(lái)說(shuō)，存儲(chǔ)器裝置可經(jīng)布置為豎直地在襯底上的存儲(chǔ)器單元的堆疊。此類存儲(chǔ)器單元可被實(shí)施為電荷捕獲單元。對(duì)基于電荷捕獲的存儲(chǔ)器裝置及其操作的改進(jìn)可由存儲(chǔ)器裝置的設(shè)計(jì)的發(fā)展解決。

附圖說(shuō)明

圖1A為根據(jù)各種實(shí)施例的實(shí)例電荷捕獲結(jié)構(gòu)的橫截面表示，所述實(shí)例電荷捕獲結(jié)構(gòu)可包含于各種電子設(shè)備中。

圖1B為根據(jù)各種實(shí)施例的實(shí)例柵極的橫截面表示，所述實(shí)例柵極具有帶多個(gè)組件的結(jié)構(gòu)。

圖2A至2C根據(jù)各種實(shí)施例繪示具有氧化鋁介電屏障區(qū)的電荷捕獲結(jié)構(gòu)與具有氧化鉿介電屏障區(qū)的電荷捕獲結(jié)構(gòu)的比較。

圖3為根據(jù)各種實(shí)施例的單元降級(jí)與循環(huán)條件的曲線圖。

圖4展示根據(jù)各種實(shí)施例的三維存儲(chǔ)器裝置的存儲(chǔ)器陣列的塊架構(gòu)及頁(yè)地址映射的示意圖。

圖5為根據(jù)各種實(shí)施例的形成電荷捕獲結(jié)構(gòu)的實(shí)例方法的特征的流程圖。

圖6為根據(jù)各種實(shí)施例的形成電荷捕獲結(jié)構(gòu)的實(shí)例方法的特征的流程圖。

圖7A至7H繪示根據(jù)各種實(shí)施例的在豎直堆疊中形成電荷捕獲結(jié)構(gòu)的實(shí)例方法的階段。

圖8繪示根據(jù)各種實(shí)施例的具有多個(gè)電子組件的晶片的實(shí)例。

圖9展示根據(jù)各種實(shí)施例的實(shí)例系統(tǒng)的框圖，所述實(shí)例系統(tǒng)包含用作為存儲(chǔ)器單元的電荷捕獲結(jié)構(gòu)的陣列結(jié)構(gòu)化的存儲(chǔ)器。

具體實(shí)施方式

以下詳細(xì)描述是指借助于實(shí)例繪示展示本發(fā)明的各種實(shí)施例的隨附圖式。以充足細(xì)節(jié)描述這些實(shí)施例以使得所屬領(lǐng)域的一般技術(shù)人員實(shí)踐這些及其它實(shí)施例?？衫闷渌鼘?shí)施例，且可對(duì)這些實(shí)施例進(jìn)行結(jié)構(gòu)、邏輯及電學(xué)改變。各種實(shí)施例未必相互排斥，這是因?yàn)橐恍?shí)施例可與一或多個(gè)其它實(shí)施例組合以形成新實(shí)施例。因此，不應(yīng)在限制性意義上看待以下詳細(xì)描述。

如本文件中所使用的術(shù)語(yǔ)“水平”被定義為平行于襯底的常規(guī)平面或表面，例如在晶片或裸片下面的平面或表面，而不管襯底在任何時(shí)間點(diǎn)的實(shí)際定向。術(shù)語(yǔ)“豎直”是指垂直于如上文所定義的水平的方向。術(shù)語(yǔ)“晶片”及“襯底”在本文中通常用于是指集成電路形成于其上的任何結(jié)構(gòu)，且還是指在集成電路制造的不同階段期間的此類結(jié)構(gòu)。晶片可包含多個(gè)裸片，集成電路相對(duì)于裸片的相應(yīng)襯底安置在所述多個(gè)裸片中。