[發(fā)明專利]發(fā)光二極管裝置及其制造方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201880060577.8
• 申請日: 2018-04-02
• 公開（公告）號: CN111133593B
• 公開（公告）日: 2023-08-25
• 發(fā)明（設計）人: 姜鎮(zhèn)熙;姜智薰;趙晟佑
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H01L33/00
• 分類號: H01L33/00;H01L33/50;H01L33/06;H01L33/44;H01L33/10;H01L33/58;H01L33/62
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 周祺

1.一種制造發(fā)光二極管LED裝置的方法，所述方法包括：

在襯底上形成所述LED；

形成圍繞所述LED的至少一個側(cè)表面的防漏光層；

蝕刻所述襯底中與所述LED相對應的部分；以及

在蝕刻的部分中將波長轉(zhuǎn)換材料結合到所述LED，

其中所述波長轉(zhuǎn)換材料包括波長轉(zhuǎn)換半導體層和反射層，

其中所述波長轉(zhuǎn)換半導體層包括量子阱層，用于將從所述LED發(fā)射的光轉(zhuǎn)換為經(jīng)波長轉(zhuǎn)換后的光，

其中所述反射層圍繞所述波長轉(zhuǎn)換半導體層的至少一個側(cè)表面，以反射所述波長轉(zhuǎn)換半導體層的所述至少一個側(cè)表面處的經(jīng)波長轉(zhuǎn)換后的光，并且

其中所述反射層延伸到所述波長轉(zhuǎn)換半導體層的面朝所述LED的表面的一部分上，以反射所述波長轉(zhuǎn)換半導體層的面朝所述LED的所述表面的所述部分處的經(jīng)波長轉(zhuǎn)換后的光。

2.根據(jù)權利要求1所述的制造方法，還包括產(chǎn)生所述波長轉(zhuǎn)換材料，

其中產(chǎn)生所述波長轉(zhuǎn)換材料包括：

通過化學氣相沉積CVD工藝在另一襯底上形成上分布式布拉格反射器DBR涂層；

通過所述CVD工藝在所述上DBR涂層上形成波長轉(zhuǎn)換半導體層；

通過所述CVD工藝在所述波長轉(zhuǎn)換半導體層上形成下DBR涂層；以及

蝕刻所述另一襯底中的在所述LED的位置之外的區(qū)域，以及

其中，所述結合包括：將所述波長轉(zhuǎn)換材料結合到所述LED的下部。

3.根據(jù)權利要求2所述的制造方法，其中所述上DBR涂層、所述波長轉(zhuǎn)換半導體層和所述下DBR涂層被形成為具有與所述LED的尺寸相對應的尺寸。

4.根據(jù)權利要求2所述的制造方法，還包括：在將所述波長轉(zhuǎn)換材料結合到所述LED的所述下部之后，去除所述另一襯底。

5.根據(jù)權利要求2所述的制造方法，其中所述反射層形成為還從所述波長轉(zhuǎn)換半導體層的所述至少一個側(cè)表面延伸預定長度到所述下DBR涂層的下部。

6.根據(jù)權利要求5所述的制造方法，其中：

所述防漏光層防止從所述LED發(fā)射出的光通過所述LED的所述至少一個側(cè)表面散射，

所述波長轉(zhuǎn)換半導體層將來自所述LED的光的第一波長轉(zhuǎn)換為預定的第二波長，并且通過擴散材料將所述第二波長的光擴散并發(fā)射到外部，

所述下DBR涂層使從所述LED發(fā)射出的所述第一波長的光通過，而反射所述第二波長的光，

所述上DBR涂層使所述第二波長的光通過，而反射除所述第二波長之外的波長的光，以及

所述反射層反射通過所述波長轉(zhuǎn)換半導體層的所述至少一個側(cè)表面和下表面發(fā)射出的光。

7.根據(jù)權利要求2所述的制造方法，其中所述結合包括：在所述LED的下表面和所述下DBR涂層的下表面中的至少一個上形成光學粘合劑層，所述光學粘合劑層將所述波長轉(zhuǎn)換材料結合到所述LED的所述下部。

8.根據(jù)權利要求1所述的制造方法，其中所述波長轉(zhuǎn)換材料是以下項中的一項：與紅色R相對應的第一波長轉(zhuǎn)換層；與綠色G相對應的第二波長轉(zhuǎn)換層；與藍色B相對應的第三波長轉(zhuǎn)換層；以及與白色W相對應的第四波長轉(zhuǎn)換層。

9.根據(jù)權利要求1所述的制造方法，還包括在所述LED下方形成多個焊盤，所述多個焊盤從外部電源接收電力。

10.根據(jù)權利要求1所述的制造方法，其中所述波長轉(zhuǎn)換材料是II-VI族半導體材料。