[發(fā)明專利]半導(dǎo)體裝置制造用粘接膜以及半導(dǎo)體裝置及其制造方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201880060553.2 | 申請(qǐng)日: | 2018-09-18 |
| 公開(公告)號(hào): | CN111133564A | 公開(公告)日: | 2020-05-08 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 大久保惠介;藤尾俊介;夏川昌典 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 日立化成株式會(huì)社 |
| 主分類號(hào): | H01L21/683 | 分類號(hào): | H01L21/683;H01L21/52;H01L21/60;C09J7/22;B32B7/02;B32B7/12;B32B37/12 |
| 代理公司: | 永新專利商標(biāo)代理有限公司 72002 | 代理人: | 白麗 |
| 地址: | 日本*** | 國(guó)省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 半導(dǎo)體 裝置 制造 用粘接膜 以及 及其 方法 | ||
1.一種半導(dǎo)體裝置制造用粘接膜,其具備:
寬度為100mm以下的帶狀的載體膜;和
在所述載體膜上按照在所述載體膜的長(zhǎng)度方向上排列的方式配置的多個(gè)粘接劑片,
其中,所述粘接劑片具有在長(zhǎng)方形或正方形的至少一邊形成有凸部及凹部中的至少一個(gè)的形狀。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的粘接膜,其中,所述粘接劑片具有6個(gè)以上的角。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的粘接膜,其中,所述粘接劑片的形狀為L(zhǎng)字型。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的粘接膜,其中,所述粘接劑片具有8個(gè)以上的角。
5.根據(jù)權(quán)利要求1~4中任一項(xiàng)所述的粘接膜,其中,所述粘接劑片的面積為10~200mm2。
6.根據(jù)權(quán)利要求1~5中任一項(xiàng)所述的粘接膜,其中,所述載體膜的表面的被所述多個(gè)粘接劑片覆蓋的區(qū)域的比例以所述載體膜的面積為基準(zhǔn)計(jì)為10~60%。
7.根據(jù)權(quán)利要求1~6中任一項(xiàng)所述的粘接膜,其中,在所述載體膜上形成有1個(gè)或多個(gè)由所述多個(gè)粘接劑片構(gòu)成的列。
8.根據(jù)權(quán)利要求1~7中任一項(xiàng)所述的粘接膜,其中,所述粘接劑片是通過對(duì)按照將所述載體膜的表面覆蓋的方式形成的粘接劑層進(jìn)行模切而形成的。
9.根據(jù)權(quán)利要求1~8中任一項(xiàng)所述的粘接膜,其中,所述載體膜與所述粘接劑片之間的密合力為0.5~18N/m。
10.根據(jù)權(quán)利要求1~9中任一項(xiàng)所述的粘接膜,其進(jìn)一步具備保護(hù)構(gòu)件,該保護(hù)構(gòu)件將所述粘接劑片的與所述載體膜一側(cè)的第一面相反側(cè)的第二面覆蓋,且具有與所述粘接劑片相同的形狀。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的粘接膜,其中,所述粘接劑片及所述保護(hù)構(gòu)件是通過對(duì)按照將所述載體膜的表面覆蓋的方式形成的粘接劑層和按照將所述粘接劑層覆蓋的方式配置的保護(hù)膜進(jìn)行模切而形成的。
12.根據(jù)權(quán)利要求10或11所述的粘接膜,其中,所述保護(hù)構(gòu)件的透光率比所述載體膜的透光率低。
13.根據(jù)權(quán)利要求10~12中任一項(xiàng)所述的粘接膜,其中,所述粘接劑片與所述保護(hù)構(gòu)件之間的密合力為16N/m以下。
14.一種半導(dǎo)體裝置,其具備:
基板;
半導(dǎo)體芯片;以及
權(quán)利要求1~13中任一項(xiàng)所述的粘接膜的所述粘接劑片,
其中,所述粘接劑片配置于所述基板與所述半導(dǎo)體芯片之間,將所述基板與所述半導(dǎo)體芯片粘接,
所述半導(dǎo)體芯片的形狀與所述粘接劑片的形狀不同。
15.一種半導(dǎo)體裝置的制造方法,其使用權(quán)利要求1~13中任一項(xiàng)所述的粘接膜的所述粘接劑片。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法,其包含以下工序:
準(zhǔn)備依次層疊有基板、所述粘接劑片和半導(dǎo)體芯片的層疊體的工序;和
通過對(duì)所述層疊體進(jìn)行加熱、從而利用所述粘接劑片將所述基板與所述半導(dǎo)體芯片粘接的工序,
其中,所述半導(dǎo)體芯片的形狀與所述粘接劑片的形狀不同。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法,其中,通過將所述層疊體加熱至160℃以下的溫度,從而利用所述粘接劑片將所述半導(dǎo)體芯片粘接在所述基板上。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造
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