[發(fā)明專利]流化床式反應(yīng)裝置以及三氯硅烷的制造方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201880060481.1 | 申請(qǐng)日: | 2018-11-16 |
| 公開(公告)號(hào): | CN111094182A | 公開(公告)日: | 2020-05-01 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 弘田賢次;荻原克彌 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 株式會(huì)社德山 |
| 主分類號(hào): | C01B33/107 | 分類號(hào): | C01B33/107;B01J8/24 |
| 代理公司: | 北京信諾創(chuàng)成知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11728 | 代理人: | 劉金峰 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 流化床 反應(yīng) 裝置 以及 硅烷 制造 方法 | ||
1.一種流化床式反應(yīng)裝置,使金屬硅粉與氯化氫氣體進(jìn)行反應(yīng)來生成三氯硅烷,其特征在于,
具備收納所述金屬硅粉及所述氯化氫氣體的反應(yīng)容器;
所述反應(yīng)容器具有包圍流動(dòng)層的側(cè)壁,所述流動(dòng)層是所述金屬硅粉隨著所述氯化氫氣體流動(dòng)而形成;
在所述反應(yīng)容器下部設(shè)置有供給所述氯化氫氣體的氣體供給口;并且
在從所述氣體供給口至所述流動(dòng)層的上表面為止的高度的至少80%以上的范圍內(nèi),所述側(cè)壁為所述反應(yīng)容器的與高度方向正交的橫截面的截面積朝向上方增大的錐形形狀。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的流化床式反應(yīng)裝置,其特征在于,
還具備分散板,其具有所述氣體供給口且使所述氯化氫氣體從所述氣體供給口分散;
所述分散板設(shè)置于所述反應(yīng)容器下部;并且
所述側(cè)壁從所述流動(dòng)層與所述分散板的邊界位置起成為所述錐形形狀。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的流化床式反應(yīng)裝置,其特征在于,
所述側(cè)壁在從所述氣體供給口至所述流動(dòng)層的上表面為止的整體高度上成為所述錐形形狀。
4.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任一項(xiàng)所述的流化床式反應(yīng)裝置,其特征在于,
所述錐形形狀的錐角是所述高度方向與所述側(cè)壁的所述錐形形狀的部分所形成的角度,為3.0°以上7.0°以下。
5.根據(jù)權(quán)利要求1至4中任一項(xiàng)所述的流化床式反應(yīng)裝置,其特征在于,
所述反應(yīng)容器還具有自由段部,其是由從所述側(cè)壁起沿著所述高度方向而延伸存在的外壁所形成;
在所述反應(yīng)容器上部設(shè)置有排出口,將通過所述金屬硅粉與所述氯化氫氣體的反應(yīng)而形成的生成物排出;
所述自由段部將從所述流動(dòng)層上升的所述生成物引導(dǎo)至所述排出口;
所述自由段部的沿著所述高度方向的長(zhǎng)度L相對(duì)于所述自由段部的與所述高度方向正交的橫截面的直徑D的比率L/D為1.5以上。
6.一種三氯硅烷的制造方法,其特征在于,
包括如下步驟:使用根據(jù)權(quán)利要求1至5中任一項(xiàng)所述的流化床式反應(yīng)裝置,使所述金屬硅粉與所述氯化氫氣體進(jìn)行反應(yīng)。
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