[發明專利]用于靜態隨機存取存儲器編譯器的魯棒寫入驅動器機制

有效

• 申請號: 201880060346.7
• 申請日: 2018-08-23
• 公開（公告）號: CN111095416B
• 公開（公告）日: 2021-07-16
• 發明（設計）人: S·N·莫漢蒂;M·納拉西姆漢;R·K·辛哈;R·古普塔
• 申請（專利權）人: 高通股份有限公司
• 主分類號: G11C11/419
• 分類號: G11C11/419;G11C7/10;G11C7/12;G11C7/22
• 代理公司: 北京市金杜律師事務所 11256
• 代理人: 董典紅

1.一種電子裝置，包括：

靜態隨機存取存儲器SRAM，其中所述SRAM包括：

位單元陣列；

耦合至所述位單元陣列的位線；

驅動電路，所述驅動電路被配置為經由所述SRAM的寫入驅動器節點驅動所述位線，用于將數據寫入到所述位單元陣列的位單元中，以進行寫入操作；和

預充電電路，所述預充電電路被配置為與所述驅動電路一起操作以：

將所述寫入驅動器節點驅動至高電壓電平或低電壓電平，以進行所述寫入操作，

將所述寫入驅動器節點預充電至所述高電壓電平，以在寫入周期開始時在所述位線上維持閾值電壓電平，以便將所述數據寫入到所述位單元中，以及

使所述寫入驅動器節點浮置，以進行位掩蔽操作。

2.根據權利要求1所述的裝置，其中：

所述預充電電路被耦合至掩蔽信號線輸入，其中所述掩蔽信號線輸入控制所述預充電電路以與所述驅動電路一起操作，來在所述位掩蔽操作被禁用的情況下，將所述寫入驅動器節點驅動至所述高電壓電平或所述低電壓電平。

3.根據權利要求2所述的裝置，其中：

所述預充電電路被耦合到位時鐘輸入，其中所述位時鐘輸入控制所述預充電電路以與所述驅動電路一起操作，來將所述寫入驅動器節點預充電至所述高電壓電平，并使所述寫入驅動器節點浮置，以進行所述位掩蔽操作。

4.根據權利要求1所述的裝置，還包括：

反向位線，被耦合到所述位單元陣列；

第二驅動電路，所述第二驅動電路被配置為經由所述SRAM的第二寫入驅動器節點來驅動所述反向位線，用于將所述數據寫入到所述位單元中，以進行所述寫入操作；和

第二預充電電路，所述第二預充電電路被配置為與所述第二驅動電路一起操作以：

將所述第二寫入驅動器節點驅動至所述高電壓電平或所述低電壓電平，以進行所述寫入操作，

將所述第二寫入驅動器節點預充電至所述高電壓電平，以及

使所述第二寫入驅動器節點浮置，以進行所述位掩蔽操作。

5.根據權利要求4所述的裝置，其中：

所述第二預充電電路被耦合至掩蔽信號線輸入，其中所述掩蔽信號線輸入控制所述第二預充電電路以與所述第二驅動電路一起操作，來在所述位掩蔽操作被禁用的情況下，將所述第二寫入驅動器節點驅動至所述高電壓電平或所述低電壓電平。

6.根據權利要求5所述的裝置，其中：

所述第二預充電電路被耦合到位時鐘輸入，其中所述位時鐘輸入控制所述第二預充電電路以與所述第二驅動電路一起操作，來將所述第二寫入驅動器節點預充電至所述高電壓電平，并使所述第二寫入驅動器節點浮置，以進行所述位掩蔽操作。

7.根據權利要求4所述的裝置，其中在所述第二寫入驅動器節點浮置在所述高電壓電平的情況下，在所述寫入周期開始時，在所述反向位線上維持用于將所述數據寫入到所述位單元中的所述閾值電壓電平。

8.根據權利要求1所述的裝置，還包括：

蜂窩電話和移動計算設備之一，所述蜂窩電話和所述移動計算設備之一并入有所述SRAM。

9.一種用于將數據寫入到靜態隨機存取存儲器SRAM中的方法，所述SRAM包括位單元陣列和位線，所述方法包括：

檢測位掩蔽操作被啟用；

將所述SRAM的寫入驅動器節點驅動至高電壓電平或低電壓電平，以進行寫入操作；

將所述寫入驅動器節點預充電至所述高電壓電平，以在寫入周期開始時在與所述位單元陣列的位單元耦合的所述位線上維持閾值電壓電平，以便將數據寫入到所述位單元中；

使所述寫入驅動器節點浮置，以進行所述位掩蔽操作；以及

驅動所述位線，以根據在所述寫入驅動器節點處的所述高電壓電平或所述低電壓電平，將所述數據寫入到所述位單元中，以進行所述寫入操作。