[發明專利]薄膜電路基板及其制造方法

有效

• 申請號: 201880060272.7
• 申請日: 2018-09-13
• 公開（公告）號: CN111096086B
• 公開（公告）日: 2023-05-02
• 發明（設計）人: 段成伯
• 申請（專利權）人: 阿莫綠色技術有限公司
• 主分類號: H05K3/06
• 分類號: H05K3/06;H05K3/02;H05K1/09
• 代理公司: 北京派特恩知識產權代理有限公司 11270
• 代理人: 馬芬;王琳

公開了薄膜電路基板和其制造方法，該方法能夠通過在基底基板上形成籽晶層和鍍層以及之后通過靜電紡絲來形成厚度在設定范圍內的光刻膠層來形成特征尺寸小于10微米的圖案。公開的薄膜電路基板包括：基底基板；在所述基底基板的上表面上形成的薄膜籽晶層；在所述薄膜籽晶層的上表面上形成的金屬層；以及在所述金屬層的上表面上形成的光刻膠層，其中，所述光刻膠層的厚度在1微米至5微米的范圍內。

技術領域

本公開涉及薄膜電路基板及其制造方法，以及更具體的，涉及用于制造需要精細電路圖案的覆晶薄膜（Chip?On?Film，COF）的膜的薄膜電路基板及其制造方法。

背景技術

覆晶薄膜（COF）是將半導體芯片安裝在薄膜狀印刷電路基板（Printed?CircuitSubstrate，PCB）上的方法。與帶載封裝（Tape?Carrier?Package，TCP）相比，COF可以形成具有更窄線寬的圖案。

近來，隨著便攜式終端的輕、薄、短和小形式的趨勢，對具有精細圖案的COF的需求正在迅速增加。用于COF的薄膜電路基板（或薄膜）可以形成具有大約10微米的線寬的圖案。

然而，隨著便攜式終端的更輕、更薄、更短和更小的趨勢，需要具有更細的線寬的圖案。

根據市場需求，COF制造行業正在對用于COF的薄膜電路基板進行研究，該薄膜電路基板可以形成線寬小于10微米的圖案。

發明內容

技術問題

考慮到上述情況提出了本公開，并且本公開的目的是提供薄膜電路基板及其制造方法，該方法在基底基板上形成籽晶層和鍍層，以及之后通過靜電紡絲來形成厚度在設定范圍內的光刻膠層，從而形成線寬小于10微米的圖案。

技術方案

為了實現上述目的，根據本公開的實施例的薄膜電路基板包括：基底基板；形成在所述基底基板的上表面上的薄膜籽晶層；形成在所述薄膜籽晶層的上表面上的金屬層；以及形成在所述金屬層的上表面上的光刻膠層，所述光刻膠層的厚度在1微米至5微米的范圍內。

為了實現上述目的，根據本公開的實施例的制造薄膜電路基板的方法包括：準備基底基板；在所述基底基板的上表面上形成薄膜籽晶層；在所述薄膜籽晶層的上表面上形成鍍層，以及在所述鍍層的上表面上形成光刻膠層，所述形成光刻膠層通過在所述鍍層的上表面上靜電紡絲光敏劑形成所述光刻膠層，以及所述光刻膠層的厚度在1微米至5微米的范圍內。

有益效果

根據本公開，該薄膜電路基板和其制造方法可以通過靜電紡絲形成光刻膠層，從而形成厚度在1微米至5微米的范圍內的光刻膠層。

另外，薄膜電路基板及其制造方法可以在基底基板上形成籽晶層和鍍層，然后通過靜電紡絲形成具有設定范圍厚度的光刻膠層，從而形成COF所要求的線寬小于10微米的精細圖案。

附圖說明

圖1是用于說明根據本公開的實施例的薄膜電路基板的圖。

圖2和圖3是用于說明根據本公開的實施例的制造薄膜電路基板的方法的圖。最佳模式

在下文中，將參考附圖描述本公開的最優選實施例，以便進行具體描述，使得本公開所屬領域的技術人員可以容易地實踐本公開的技術精神。首先，在將附圖標記添加到每個附圖的組件中時，應當注意，即使在不同的附圖上顯示，相同的組件也將盡可能地由相同的附圖標記表示。另外，在描述本公開時，當確定相關的已知配置或功能的詳細描述可能使本公開的主旨不清楚時，將省略其詳細描述。

參考圖1，根據本公開實施例的薄膜電路基板包括基底基板100、薄膜籽晶層200、薄膜鍍層300和光刻膠層400。

基底基板100由板狀基板或柔性材料的膜構成?；谆?00例如是聚酰亞胺（PI）膜。