[發明專利]片式熔斷器

有效

• 申請號: 201880060244.5
• 申請日: 2018-09-26
• 公開（公告）號: CN111133548B
• 公開（公告）日: 2022-06-28
• 發明（設計）人: 橫溝榮治;假谷正敏;松原正志
• 申請（專利權）人: 株式會社村田制作所
• 主分類號: H01H85/175
• 分類號: H01H85/175;H01H85/046;H01H85/08;H01H85/17;H01H85/48
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 王瑋;張豐橋

1.一種片式熔斷器，包括：由絕緣性材料構成的主體部、被配置在該主體部的內部且具有從該主體部露出的兩端部的熔斷器導體、以及分別覆蓋該主體部的兩端部且分別與該熔斷器導體的兩端部電連接的一對外部電極，其中，

上述主體部包括由第一絕緣性材料構成的層以及由第二絕緣性材料構成的層，在由上述第一絕緣性材料構成的層的內部存在空洞部以及上述熔斷器導體，上述熔斷器導體具有沿上述空洞部的壁面形成的熔斷部，上述第一絕緣性材料是玻璃材料，上述第二絕緣性材料是包含Fe、Cu以及Zn的非磁性鐵氧體材料。

2.根據權利要求1所述的片式熔斷器，其中，

上述空洞部具有相對于彼此向相反側彎曲成凸狀的對置的兩個壁面，上述熔斷器導體的熔斷部沿該兩個壁面的任意一個壁面形成。

3.根據權利要求1或者2所述的片式熔斷器，其中，

上述主體部以及上述熔斷器導體構成燒結體。

4.根據權利要求1～3中的任意一項所述的片式熔斷器，其中，

上述熔斷部具有曲折形狀。

5.根據權利要求1～4中的任意一項所述的片式熔斷器，其中，

上述主體部中至少與上述熔斷部接觸的部分由具有0.05W·m^－1·K^－1以上且10.00W·m^－1·K^－1以下的導熱系數的第一絕緣性材料構成。

6.根據權利要求5所述的片式熔斷器，其中，

上述第一絕緣性材料具有0.05W·m^－1·K^－1以上且10.00W·m^－1·K^－1以下的導熱系數，上述第二絕緣性材料具有比上述第一絕緣性材料高的強度。

7.根據權利要求6所述的片式熔斷器，其中，

由上述第一絕緣性材料構成的層配置在由上述第二絕緣性材料構成的兩個層之間。

8.根據權利要求1～7中的任意一項所述的片式熔斷器，其中，

片式熔斷器具有0.55mm以上且0.65mm以下的長度以及0.25mm以上且0.35mm以下的寬度。