[發明專利]利用切割技術移除襯底的方法

在審

• 申請號: 201880060140.4
• 申請日: 2018-09-17
• 公開（公告）號: CN111095483A
• 公開（公告）日: 2020-05-01
• 發明（設計）人: 神川剛;S·甘德瑞蒂拉;李鴻漸
• 申請（專利權）人: 加利福尼亞大學董事會
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02;H01L33/02;H01S5/02;H01S5/30
• 代理公司: 北京律盟知識產權代理有限責任公司 11287
• 代理人: 林斯凱

1.一種移除襯底的方法，包括：

在襯底上或上方形成生長限制掩模；

使用所述生長限制掩模在所述襯底上或上方生長一或多個III族氮化物基半導體層；

將所述III族氮化物基半導體層接觸到支撐襯底或膜；以及

使用切割技術從所述襯底移除所述III族氮化物基半導體層。

2.根據權利要求1所述的方法，還包括由于所述III族氮化物基襯底與接觸到所述III族氮化物基半導體層的所述支撐襯底或膜之間的熱膨脹差異，向所述III族氮化物基半導體層施加應力。

3.根據權利要求1所述的方法，其中所述襯底是III族氮化物基襯底或者異質或異種襯底。

4.根據權利要求1所述的方法，其中所述襯底在移除所述III族氮化物基半導體層之后被回收。

5.根據權利要求1所述的方法，其中所述切割技術是用于所述襯底的m平面表面上的。

6.根據權利要求1所述的方法，其中所述III族氮化物基半導體層在從所述襯底移除之后具有切割的表面。

7.根據權利要求6所述的方法，其中所述切割的表面至少包括m平面表面。

8.根據權利要求1所述的方法，其中所述生長限制掩模在從所述襯底移除所述III族氮化物基半導體層之前至少局部地被移除。

9.根據權利要求1所述的方法，其中所述生長限制掩模被圖案化。

10.根據權利要求9所述的方法，其中所述生長限制掩模由多個開口區域構成。

11.根據權利要求1所述的方法，其中所述III族氮化物基半導體層中的至少一個通過外延橫向過生長(ELO)來生長。

12.根據權利要求11所述的方法，其中所述ELO在所述III族氮化物基半導體層聚結之前停止。

13.根據權利要求1所述的方法，還包括從所述襯底剝除所述III族氮化物基半導體層。

14.一種通過權利要求1所述的方法制作的器件。

15.一種移除襯底的方法，包括：

在襯底上或上方生長一或多個III族氮化物基半導體層；

將所述III族氮化物基半導體層接觸到支撐襯底或膜；以及

使用切割技術從所述襯底移除所述III族氮化物基半導體層，其中所述切割技術執行達切割長度，且所述切割長度比由所述III族氮化物基半導體層形成的器件的大小窄。

16.根據權利要求15所述的方法，其中所述襯底的上面執行所述切割技術的表面是所述襯底的m平面表面。

17.根據權利要求15所述的方法，其中所述III族氮化物基半導體層至少局部地由m平面層構成。

18.一種通過權利要求15所述的方法制作的器件。

19.一種移除襯底的方法，包括：

在所述襯底上或上方生長一或多個III族氮化物基半導體層，其中所述III族氮化物基半導體層包含犧牲層；

對所述III族氮化物基半導體層進行蝕刻，直到暴露出所述犧牲層為止；

選擇性地對所述犧牲層進行蝕刻以形成底切凹口；

將所述III族氮化物基半導體層接觸到支撐襯底或膜；以及

使用切割技術從所述襯底移除所述III族氮化物基半導體層。