[發(fā)明專利]具有可變阻抗單元和過(guò)渡時(shí)間數(shù)據(jù)感測(cè)的存儲(chǔ)器

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201880059963.5
• 申請(qǐng)日: 2018-09-06
• 公開（公告）號(hào): CN111095413A
• 公開（公告）日: 2020-05-01
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: R·拉馬拉朱
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 研究與開發(fā)3有限責(zé)任公司
• 主分類號(hào): G11C11/4091
• 分類號(hào): G11C11/4091;G11C11/4076;G11C11/4094
• 代理公司: 北京市鑄成律師事務(wù)所 11313
• 代理人: 王艷波;林軍

1.一種存儲(chǔ)器裝置，其包括：

多個(gè)存儲(chǔ)器單元，每個(gè)存儲(chǔ)器單元具有可變阻抗，所述可變阻抗根據(jù)存儲(chǔ)在其中的相應(yīng)數(shù)據(jù)值而變化；和

讀取電路，其被配置為基于對(duì)應(yīng)于選定的存儲(chǔ)器單元的所述可變阻抗的信號(hào)節(jié)點(diǎn)電壓變化的可變時(shí)間延遲確定來(lái)讀取存儲(chǔ)在所述選定的存儲(chǔ)器單元內(nèi)的所述數(shù)據(jù)值。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)器裝置，其中：

每個(gè)相應(yīng)的數(shù)據(jù)值對(duì)應(yīng)于多個(gè)位。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)器裝置，其中：

所述可變阻抗包括可變電流。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)器裝置，其中：

每個(gè)存儲(chǔ)器單元的所述可變阻抗由所述單元內(nèi)的晶體管產(chǎn)生，所述晶體管的柵極電壓隨著寫入其中的數(shù)據(jù)而變化。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的存儲(chǔ)器裝置，其中：

所述多個(gè)存儲(chǔ)器單元包括易失性存儲(chǔ)器單元。

6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的存儲(chǔ)器裝置，其中：

所述多個(gè)存儲(chǔ)器單元包括非易失性存儲(chǔ)器單元。

7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的存儲(chǔ)器裝置，其中：

每個(gè)存儲(chǔ)器單元都包括一個(gè)以上的晶體管，所述一個(gè)以上的晶體管的相應(yīng)的柵極電壓隨著寫入其中的所述數(shù)據(jù)而變化；和

所述一個(gè)以上的晶體管一起確定所述存儲(chǔ)器單元的所述可變阻抗。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)器裝置，其中：

所述信號(hào)節(jié)點(diǎn)包括讀位線節(jié)點(diǎn)。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)器裝置，其中：

所述讀取電路與選擇電路一起被配置為以對(duì)應(yīng)于所述選定的存儲(chǔ)器單元的所述可變阻抗的可變速率來(lái)實(shí)現(xiàn)所述信號(hào)節(jié)點(diǎn)的電壓變化，并且基于所述信號(hào)節(jié)點(diǎn)電壓變化的所述可變時(shí)間延遲確定來(lái)讀取存儲(chǔ)在所述選定的存儲(chǔ)器單元內(nèi)的所述數(shù)據(jù)值。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的存儲(chǔ)器裝置，其中：

所述讀取電路被配置為以對(duì)應(yīng)于選定存儲(chǔ)器單元的所述可變阻抗的可變速率使所述信號(hào)節(jié)點(diǎn)放電；

所述信號(hào)節(jié)點(diǎn)電壓變化的所述可變時(shí)間延遲確定包括所述信號(hào)節(jié)點(diǎn)電壓變化的放電時(shí)間測(cè)量；和

所述信號(hào)節(jié)點(diǎn)包括讀位線節(jié)點(diǎn)。

11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的存儲(chǔ)器裝置，其中：

所述讀取電路被配置為以對(duì)應(yīng)于選定存儲(chǔ)器單元的所述可變阻抗的可變速率對(duì)所述信號(hào)節(jié)點(diǎn)充電；

所述信號(hào)節(jié)點(diǎn)的所述可變時(shí)間延遲確定包括所述信號(hào)節(jié)點(diǎn)的充電時(shí)間測(cè)量；和

所述信號(hào)節(jié)點(diǎn)包括讀位線節(jié)點(diǎn)。

12.一種存儲(chǔ)器裝置，其包括：

陣列中的多個(gè)存儲(chǔ)器單元；和

讀取電路，其被配置為以對(duì)應(yīng)于存儲(chǔ)在選定的存儲(chǔ)器單元內(nèi)的數(shù)據(jù)值的可變速率來(lái)實(shí)現(xiàn)信號(hào)節(jié)點(diǎn)的電壓過(guò)渡，并且執(zhí)行所述信號(hào)節(jié)點(diǎn)的過(guò)渡時(shí)間測(cè)量以確定存儲(chǔ)在所述選定的存儲(chǔ)器單元內(nèi)的所述數(shù)據(jù)值。

13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的存儲(chǔ)器裝置，其中：

每個(gè)相應(yīng)的數(shù)據(jù)值對(duì)應(yīng)于多個(gè)位。

14.根據(jù)權(quán)利要求12所述的存儲(chǔ)器裝置，其中：

每個(gè)存儲(chǔ)器單元的所述可變阻抗由所述單元內(nèi)的晶體管產(chǎn)生，所述晶體管的柵極電壓隨著寫入其中的數(shù)據(jù)而變化。

15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的存儲(chǔ)器裝置，其中：

所述多個(gè)存儲(chǔ)器單元包括易失性存儲(chǔ)器單元。

16.根據(jù)權(quán)利要求14所述的存儲(chǔ)器裝置，其中：

每個(gè)存儲(chǔ)器單元都包括一個(gè)以上的晶體管，所述一個(gè)以上的晶體管的柵極電壓隨著寫入其中的所述數(shù)據(jù)而變化；和

所述一個(gè)以上的晶體管一起確定所述存儲(chǔ)器單元的所述可變阻抗。