[發明專利]半導體激光元件

有效

• 申請號: 201880059947.6
• 申請日: 2018-08-09
• 公開（公告）號: CN111133643B
• 公開（公告）日: 2023-10-20
• 發明（設計）人: 持田篤范
• 申請（專利權）人: 松下控股株式會社
• 主分類號: H01S5/22
• 分類號: H01S5/22
• 代理公司: 北京林達劉知識產權代理事務所(普通合伙) 11277
• 代理人: 劉新宇

半導體激光元件(10)：具備基板(101)；以及激光陣列部(11)，具有排列配置的多個發光部(141)，并且層疊在基板(101)的上方，基板(101)與激光陣列部(11)的層疊體，在相對的面具備一對諧振器端面(140f以及140r)，在多個發光部(141)之中的相鄰的兩個發光部(141)之間，在一對諧振器端面(140f以及140r)的至少一方形成有從激光陣列部(11)延伸到基板(101)的中途的槽部(133)。

技術領域

本公開涉及，半導體激光元件，尤其涉及具有多個發光部的陣列狀的半導體激光元件。

而且，本申請是，平成28年度，國立研究開發法人新能源產業技術綜合開發機構“高亮度、高效率下一代激光技術開發/面向更先進的一代加的新光源、要素技術開發/高效率加工用GaN系高輸出、高光束質量二極管激光的開發”委托研究的，受到產業技術力強化法第19條的適用的專利申請。

背景技術

以往，作為瓦特級的高輸出激光光源，將具有多個發光部的激光陣列部形成在單一基板上的一體的半導體激光元件為人所知。在這樣的半導體激光元件中，在發光部間設置分離槽，或者，由熱導率低的材料填埋分離槽，從而試圖發光部間的熱干涉的抑制。

例如，專利文獻1公開，填埋了絕緣體的分離部被形成于發光部間的半導體激光元件。以下，對于專利文獻1公開的半導體激光元件，利用附圖進行簡單的說明。圖11是示出專利文獻1公開的半導體激光元件1000的結構的截面圖。

如圖11示出，專利文獻1公開的半導體激光元件1000具備，GaAs基板1001、緩沖層1002、包層1003、活性層1004、包層1005、電流阻擋層1006、帽層1007、接觸層1008、以及電極1009及1010。

在半導體激光元件1000中，設置有從接觸層1008延伸到電流阻擋層1006的中途的槽。相鄰的發光部間，由填埋在槽的絕緣體1011絕緣分離。

如此，在專利文獻1公開的半導體激光元件1000中，使發光部間絕緣分離，從而試圖減少各個發光部中流動的電流的串擾。

(現有技術文獻)

(專利文獻)

專利文獻1：日本特開平5-235480號公報

然而，在專利文獻1公開的半導體激光元件1000中，多個發光部的排列方向(即，與諧振方向垂直的方向)的尺寸大。因此，半導體激光元件1000，與具有單一的發光部的半導體激光元件相比，基板中產生的變形的影響大。據此，半導體激光元件1000的翹曲大。半導體激光元件1000的翹曲大，因此，產生多個發光部的高度的錯開。起因于該高度的錯開，在使來自多個發光部的激光聚光時，多個激光的耦合效率降低。也就是說，難以使來自多個發光部的光聚光于一點。

發明內容

為了解決這樣的問題，本公開的目的在于，減少具有多個發光部的半導體激光元件的翹曲。

為了解決所述問題，本公開涉及的半導體激光元件的一個形態，具備：基板；以及激光陣列部，具有排列配置的多個發光部，并且層疊在所述基板的上方，所述基板與所述激光陣列部的層疊體，在相對的面具備一對諧振器端面，在所述多個發光部之中的相鄰的兩個發光部之間，在所述一對諧振器端面的至少一方形成有從所述激光陣列部延伸到所述基板的中途的槽部。

如此，形成有從激光陣列部延伸到基板的中途的槽部，因此，變形由槽部分斷。因此，能夠減少在基板產生的變形。因此，能夠減少基板的多個發光部的排列方向的翹曲。據此，在從多個發光部射出的激光由透鏡等聚光時，能夠抑制因基板的翹曲而耦合效率降低。

并且，在本公開涉及的半導體激光元件的一個形態中也可以是，所述激光陣列部，在所述多個發光部之中的相鄰的兩個發光部之間具備，在所述一對諧振器端面之間連續的分斷槽，所述槽部，被形成在所述分斷槽的底面。