[發(fā)明專利]抗蝕劑去除方法以及抗蝕劑去除裝置

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• 申請?zhí)枺?/td>: 201880059923.0
• 申請日: 2018-06-15
• 公開（公告）號: CN111095486A
• 公開（公告）日: 2020-05-01
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 宗德皓太;鰍場真樹
• 申請（專利權(quán)）人: 株式會社斯庫林集團
• 主分類號: H01L21/027
• 分類號: H01L21/027;G03F7/42;H01L21/302;H01L21/3065;H01L21/683
• 代理公司: 隆天知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 72003
• 代理人: 向勇;宋曉寶

1.一種抗蝕劑去除方法，用于將在主面上具有抗蝕劑的圖案的基板的所述抗蝕劑去除，所述抗蝕劑在表面形成有變質(zhì)層，其中，

所述抗蝕劑去除方法具有：

a)工序，在與外部阻斷的處理空間中，一邊在與被加熱至規(guī)定的溫度的加熱板隔開間隙的第一處理位置配置所述基板，一邊向所述主面供給臭氧氣體，從而去除所述變質(zhì)層；以及

b)工序，在所述a)工序之后，一邊在所述間隙比所述第一處理位置更小的第二處理位置配置所述基板，一邊向所述主面供給所述臭氧氣體，從而去除所述抗蝕劑。

2.如權(quán)利要求1所述的抗蝕劑去除方法，其中，

所述抗蝕劑去除方法還具有：

c)工序，與所述a)工序并行地進行，通過測量從所述處理空間排出的氣體中的規(guī)定成分的濃度，檢測所述變質(zhì)層的去除的終點。

3.如權(quán)利要求2所述的抗蝕劑去除方法，其中，

在所述c)工序中，基于所述規(guī)定成分的濃度的變化率來檢測出所述變質(zhì)層的去除的終點。

4.如權(quán)利要求2或3所述的抗蝕劑去除方法，其中，

所述抗蝕劑去除方法還具有如下工序：該工序與所述b)工序并行地進行，通過測量從所述處理空間排出的氣體中的所述規(guī)定成分的濃度，檢測所述抗蝕劑的去除的終點。

5.如權(quán)利要求1至4中任一項所述的抗蝕劑去除方法，其中，

所述處理空間能夠進行開閉，

在開放所述處理空間時，在比所述第一處理位置更遠(yuǎn)離所述加熱板的位置配置所述基板配置的狀態(tài)下，將所述基板從保持所述基板的保持部向外部的搬運機構(gòu)交付。

6.如權(quán)利要求1至5中任一項所述的抗蝕劑去除方法，其中，

在形成所述處理空間的處理空間形成部中，在所述臭氧氣體的供給口的周圍設(shè)置有加熱部。

7.如權(quán)利要求1至6中任一項所述的抗蝕劑去除方法，其中，

所述加熱板的所述規(guī)定的溫度為在形成有所述變質(zhì)層的所述抗蝕劑中發(fā)生因內(nèi)部的膨脹所導(dǎo)致的所述變質(zhì)層的破裂的溫度以上。

8.一種抗蝕劑去除裝置，其中，

所述抗蝕劑去除裝置具有：

處理空間形成部，形成與外部阻斷的處理空間；

加熱板，配置于所述處理空間，被加熱至規(guī)定的溫度；

保持部，在所述處理空間中保持在主面上具有抗蝕劑的圖案的基板，所述抗蝕劑在表面形成有變質(zhì)層；

移動機構(gòu)，使所述保持部相對于所述加熱板相對地移動；

臭氧氣體供給部，向所述主面供給臭氧氣體；以及

控制部，將所述基板配置在與所述加熱板隔開間隙的第一處理位置而利用所述臭氧氣體進行所述變質(zhì)層的去除，然后，通過控制所述移動機構(gòu)，將所述基板配置在所述間隙比所述第一處理位置更小的第二處理位置而利用所述臭氧氣體進行所述抗蝕劑的去除。

9.如權(quán)利要求8所述的抗蝕劑去除裝置，其中，

所述抗蝕劑去除裝置還具有濃度測量部，該濃度測量部用于測量從所述處理空間排出的氣體中的規(guī)定成分的濃度；

所述控制部是基于所述濃度測量部的測量值來檢測所述變質(zhì)層的去除的終點。

10.如權(quán)利要求9所述的抗蝕劑去除裝置，其中，

所述控制部基于所述規(guī)定成分的濃度的變化率來檢測所述變質(zhì)層的去除的終點。

11.如權(quán)利要求9或10所述的抗蝕劑去除裝置，其中，

所述控制部基于所述濃度測量部的測量值來檢測所述抗蝕劑的去除的終點。

12.如權(quán)利要求8至11中任一項所述的抗蝕劑去除裝置，其中，

所述抗蝕劑去除裝置還具有對所述處理空間進行開閉的開閉機構(gòu)；

在開放所述處理空間時，所述控制部使所述基板配置在比所述第一處理位置更遠(yuǎn)離所述加熱板的位置，將所述基板從所述保持部向外部的搬運機構(gòu)交付。