[發明專利]氮化鎵晶體膜的制造方法

在審

• 申請號: 201880059754.0
• 申請日: 2018-09-13
• 公開（公告）號: CN111094619A
• 公開（公告）日: 2020-05-01
• 發明（設計）人: 纐纈明伯;村上尚;山口晃
• 申請（專利權）人: 國立大學法人東京農工大學;大陽日酸株式會社
• 主分類號: C23C16/34
• 分類號: C23C16/34;C23C16/448;C30B25/16;C30B29/38;H01L21/205
• 代理公司: 北京市鑄成律師事務所 11313
• 代理人: 王艷波;林軍

1.一種氮化鎵晶體膜的制造方法，包括：通過在基板上供給由惰性氣體構成的載氣、GaCl₃氣體、鹵素氣體和NH₃氣體而在所述基板上生長氮化鎵晶體膜的生長工序，

在所述生長工序中，在將所述基板上的所述鹵素氣體的分壓與所述GaCl₃氣體的分壓之比作為分壓比[P_鹵素/P_GaCl3]的情況下，分壓比[P_鹵素/P_GaCl3]為0.20以上。

2.根據權利要求1所述的氮化鎵晶體膜的制造方法，其中，

所述分壓比[P_鹵素/P_GaCl3]為0.30以上。

3.根據權利要求1或2所述的氮化鎵晶體膜的制造方法，其中，

所述分壓比[P_鹵素/P_GaCl3]為2.50以下。

4.根據權利要求1～3中任一項所述的氮化鎵晶體膜的制造方法，其中，

對于所述生長工序，實質上同時開始向所述基板上供給所述GaCl₃氣體以及向所述基板上供給所述鹵素氣體。

5.根據權利要求1～4中任一項所述的氮化鎵晶體膜的制造方法，其中，

對于所述生長工序，在所述基板上供給包含由惰性氣體構成的載氣、GaCl₃氣體和鹵素氣體的混合氣體、以及包含由惰性氣體構成的載氣和NH₃氣體的混合氣體。

6.根據權利要求1～5中任一項所述的氮化鎵晶體膜的制造方法，其中，

所述鹵素氣體為Cl₂氣體。

7.根據權利要求1～6中任一項所述的氮化鎵晶體膜的制造方法，其中，

所述基板在所述生長工序中的溫度為1200℃～1550℃。