[發(fā)明專利]壓電器件以及壓電器件的制造方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201880059615.8
• 申請(qǐng)日: 2018-11-16
• 公開（公告）號(hào): CN111095585B
• 公開（公告）日: 2023-10-10
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 池內(nèi)伸介;木村哲也;藤本克己;岸本諭卓;黑川文彌
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 株式會(huì)社村田制作所
• 主分類號(hào): H10N30/88
• 分類號(hào): H10N30/88;H10N30/20;H03H3/02;H03H9/17
• 代理公司: 中科專利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司 11021
• 代理人: 劉慧群

1.一種壓電器件，具備：

壓電單晶體，至少一部分能夠彎曲振動(dòng)且極化狀態(tài)相同；

上部電極，配置在所述壓電單晶體的上表面上；

下部電極，配置在所述壓電單晶體的下表面上；和

支承基板，配置在所述壓電單晶體的下方，

設(shè)置有從所述支承基板的下表面朝向所述壓電單晶體的下表面上的凹部。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的壓電器件，其中，

具備多層所述壓電單晶體，

所述多層具備上層和下層，

所述上部電極配置在所述上層的壓電單晶體的上表面上，

所述下部電極配置在所述下層的壓電單晶體的下表面上，

所述上層以及下層各自的所述壓電單晶體的極化狀態(tài)相同。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的壓電器件，其中，

所述下部電極配置在所述壓電單晶體的平坦的下表面上。

4.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任一項(xiàng)所述的壓電器件，其中，

還具備：非晶質(zhì)層，配置在所述支承基板的上方且所述壓電單晶體的下方。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的壓電器件，其中，

所述非晶質(zhì)層由隔熱材料構(gòu)成。

6.根據(jù)權(quán)利要求4或5所述的壓電器件，其中，

所述支承基板是具備處理層、配置在處理層上的埋入氧化膜、以及配置在埋入氧化膜上的活性層的絕緣體上硅基板，

所述非晶質(zhì)層的下表面和所述絕緣體上硅基板的所述活性層的上表面接合。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的壓電器件，其中，

在所述凹部的底面露出了所述絕緣體上硅基板的所述埋入氧化膜。

8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的壓電器件，其中，

在所述凹部的底面露出了所述絕緣體上硅基板的所述活性層。

9.根據(jù)權(quán)利要求4至6中任一項(xiàng)所述的壓電器件，其中，

在所述凹部的底面露出了所述非晶質(zhì)層。

10.根據(jù)權(quán)利要求1至6中任一項(xiàng)所述的壓電器件，其中，

在所述凹部的底面露出了所述壓電單晶體的下表面以及所述下部電極。

11.根據(jù)權(quán)利要求1至10中任一項(xiàng)所述的壓電器件，其中，

還具備：支承膜，配置在所述壓電單晶體的上表面以及所述上部電極上。

12.一種壓電器件的制造方法，該壓電器件的壓電單晶體的至少一部分能夠彎曲振動(dòng)，所述壓電器件的制造方法包括：

準(zhǔn)備極化狀態(tài)相同的所述壓電單晶體；

在所述壓電單晶體的下表面上形成下部電極；

在所述壓電單晶體的上表面上形成上部電極；

在所述壓電單晶體的下方配置支承基板；和

設(shè)置從所述支承基板的下表面朝向所述壓電單晶體的下表面上的凹部。

13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的壓電器件的制造方法，其中，

所述壓電單晶體為多層，

所述多層具備上層和下層，

在所述下層的壓電單晶體的下表面上形成所述下部電極，

在所述上層的壓電單晶體的上表面上形成所述上部電極，

所述上層以及下層各自的所述壓電單晶體的極化狀態(tài)相同。

14.根據(jù)權(quán)利要求12或13所述的壓電器件的制造方法，其中，

所述下部電極形成在所述壓電單晶體的平坦的下表面上。

15.根據(jù)權(quán)利要求12至14中任一項(xiàng)所述的壓電器件的制造方法，其中，

還包括：在所述支承基板的上方且所述壓電單晶體的下方形成非晶質(zhì)層。