[發明專利]描繪數據生成方法、多帶電粒子束描繪裝置、圖案檢查裝置、以及計算機可讀取的記錄介質

有效

• 申請號: 201880059474.X
• 申請日: 2018-08-03
• 公開（公告）號: CN111095485B
• 公開（公告）日: 2023-10-20
• 發明（設計）人: 安井健一;中山田憲昭
• 申請（專利權）人: 紐富來科技股份有限公司
• 主分類號: H01L21/027
• 分類號: H01L21/027;G03F7/20;H01J37/305
• 代理公司: 永新專利商標代理有限公司 72002
• 代理人: 劉杰

根據具有曲線的圖形所包含的設計數據來生成能夠抑制數據量以及多帶電粒子束描繪裝置內的計算量的描繪數據。本實施方式涉及生成在多帶電粒子束描繪裝置中使用的描繪數據的方法。在該方法中，算出表現設計數據所包含的圖形的曲線部的曲線、且是分別由多個控制點定義的一對曲線，將上述多個控制點中的與第1控制點在上述曲線的行進方向上相鄰的第2控制點的位置用從上述第1控制點起的上述曲線的行進方向的位移以及與該行進方向正交的方向的位移表現，從而生成上述描繪數據。

技術領域

本發明涉及描繪數據生成方法、多帶電粒子束描繪裝置、圖案檢查裝置、以及計算機可讀取的記錄介質。

背景技術

伴隨著LSI的高集成化，半導體器件所要求的電路線寬逐年微細化。為了在半導體器件形成所期望的電路圖案，采用使用縮小投影式曝光裝置將在石英上形成的高精度的原畫圖案(掩模、或者尤其是在步進式曝光裝置或掃描式曝光裝置中使用的原畫圖案也被稱為中間掩模)縮小轉印至晶片上的方法。高精度的原畫圖案由電子束描繪裝置描繪，使用所謂的電子束曝光技術。

作為電子束描繪裝置，例如公知有使用多粒子束一次照射多個粒子束，提高了通量的多粒子束描繪裝置。在該多粒子束描繪裝置中，例如從電子槍射出的電子束通過具有多個孔的光闌部件由此形成多粒子束，各粒子束在消隱板中被實施消隱控制。未被遮蔽的粒子束由光學系統縮小，并照射至作為描繪對象的掩模上的所期望的位置。

在使用多粒子束描繪裝置進行電子束描繪的情況下，首先，設計半導體集成電路的布局，作為布局數據而生成設計數據。進而，將該設計數據所包含的多邊形圖形分割為多個梯形，由此來生成輸入至多粒子束描繪裝置的描繪數據。該描繪數據針對各梯形將1個頂點設為配置原點，具有該配置原點的坐標數據和表示從配置原點到其他的3個頂點為止的位移的數據。

當設計數據中包含橢圓形圖形那樣的具有曲線的圖形的情況下，將該圖形近似為多邊形而制作描繪數據。若高精度地進行近似，則存在頂點數或圖形數增加、描繪數據的數據量變得龐大的問題。

現有技術文獻

專利文獻

專利文獻1：日本特開2009－188000號公報

專利文獻2：日本特開平6－215152號公報

專利文獻3：日本特開平5－175107號公報

專利文獻4：日本特開平5－267132號公報

專利文獻5：日本特開平4－184392號公報

發明內容

本發明的課題在于提供一種根據具有曲線的圖形所包含的設計數據來生成能夠抑制數據量以及多帶電粒子束描繪裝置內的計算量的描繪數據的描繪數據生成方法、多帶電粒子束描繪裝置、以及計算機可讀取的記錄介質。并且，本發明的課題在于提供一種能夠生成抑制了數據量的描繪數據、提高處理效率的圖案檢查裝置。

本發明的一個方式所涉及的描繪數據生成方法是生成在多帶電粒子束描繪裝置中使用的描繪數據的描繪數據生成方法，其中，算出表現設計數據所包含的圖形的曲線部的曲線、且是分別由多個控制點定義的一對曲線，將上述多個控制點中的與第1控制點在上述曲線的行進方向上相鄰的第2控制點的位置用從上述第1控制點起的上述曲線的行進方向的位移以及與該行進方向正交的方向的位移表現，從而生成上述描繪數據。

發明效果

根據本發明，能夠根據具有曲線的圖形所包含的設計數據來生成能夠抑制數據量以及多帶電粒子束描繪裝置內的計算量的描繪數據。

附圖說明

圖1是本發明的實施方式所涉及的多帶電粒子束描繪裝置的簡圖。

圖2是示出曲線表現的一例的圖。