[發明專利]層合體

有效

• 申請號: 201880059350.1
• 申請日: 2018-09-17
• 公開（公告）號: CN111094370B
• 公開（公告）日: 2022-02-11
• 發明（設計）人: 姜那那;具世真;李美宿;李應彰;崔銀英;尹圣琇;樸魯振;李濟權;柳亨周;許允衡
• 申請（專利權）人: 株式會社LG化學
• 主分類號: C08F220/30
• 分類號: C08F220/30;C08F212/14;B32B27/28;B32B27/08;B29C71/02
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 高世豪;尚光遠

本申請涉及用于制備圖案化基底的方法。所述方法可以應用于制造諸如電子裝置和集成電路的裝置的過程，或者其他應用，例如集成光學系統、磁疇存儲器的引導和檢測圖案、平板顯示器、液晶顯示器(LCD)、薄膜磁頭或有機發光二極管等的制造，并且還可以用于諸如集成電路、比特圖案化介質和/或磁存儲裝置如硬盤驅動器的離散軌道介質的制造用于在表面上構建圖案。

技術領域

本申請要求基于2017年9月15日提交的韓國專利申請第10-2017-0118723號的優先權的權益，其公開內容通過引用整體并入本文。

本申請涉及層合體。

背景技術

嵌段共聚物是其中具有不同化學結構的聚合物嵌段經由共價鍵連接的共聚物。這樣的嵌段共聚物可以通過相分離形成周期性排列的結構，例如球形、柱體或層狀。通過嵌段共聚物的自組裝現象形成的結構的域的形狀和尺寸可以通過例如形成各嵌段的單體的種類或嵌段之間的相對比率等來廣泛地控制。

由于這樣的特性，考慮將嵌段共聚物應用于納米線制造、諸如量子點或金屬點的下一代納米元件的制造、或者能夠在預定的基底上形成高密度圖案的光刻法等(參見例如非專利文獻1等)。

在各種基底上水平或垂直地調節嵌段共聚物的自組裝結構的取向的技術在嵌段共聚物的實際應用中占非常大的比例。通常，嵌段共聚物膜中的納米結構的取向由嵌段共聚物的何種嵌段暴露于表面或空氣來決定。通常，由于許多基底具有極性并且空氣是非極性的，因此嵌段共聚物的嵌段中具有較大極性的嵌段對基底潤濕，并且具有較小極性的嵌段在與空氣的界面處潤濕。因此，已經提出了各種技術以使嵌段共聚物的具有不同特性的嵌段同時在基底側上潤濕，并且最具代表性的技術是應用中性表面制備來調節取向。

另一方面，在通過使用嵌段共聚物在基底上形成圖案的光刻法的應用中重要的是，確保自組裝嵌段共聚物的圖案(例如，層狀圖案)的線性度。

[現有技術文獻]

[非專利文獻]

(非專利文獻1)Chaikin和Register等，Science 276，1401(1997)

發明內容

技術問題

本申請提供了用于制備層合體的方法。本申請的一個目的是提供其中可以有效地形成垂直取向并具有優異線性度的嵌段共聚物的自組裝圖案的層合體。

技術方案

在本說明書中，除非另外說明，否則術語單價或二價烴基可以意指衍生自由碳和氫構成的化合物或其衍生物的單價或二價殘基。在此，由碳和氫構成的化合物可以例示為烷烴、烯烴、炔烴、脂環族烴或芳族烴。

在本說明書中，除非另外說明，否則術語烷基可以意指具有1至20個碳原子、1至16個碳原子、1至12個碳原子、1至8個碳原子或1至4個碳原子的烷基。烷基可以是線性、支化或環狀烷基，其可以任選地經一個或更多個取代基取代。

在本說明書中，除非另外說明，否則術語烷氧基可以意指具有1至20個碳原子、1至16個碳原子、1至12個碳原子、1至8個碳原子或1至4個碳原子的烷氧基。烷氧基可以是線性、支化或環狀烷氧基，其可以任選地經一個或更多個取代基取代。

除非另外說明，否則本文中的術語烯基或炔基意指具有2至20個碳原子、2至16個碳原子、2至12個碳原子、2至8個碳原子或2至4個碳原子的烯基或炔基。烯基或炔基可以是線性、支化或環狀的，其可以任選地經一個或更多個取代基取代。

除非另外說明，否則本文中的術語亞烷基可以意指具有1至20個碳原子、1至16個碳原子、1至12個碳原子、1至8個碳原子或1至4個碳原子的亞烷基。亞烷基可以是線性、支化或環狀亞烷基，其可以任選地經一個或更多個取代基取代。