[發(fā)明專利]硫?qū)倩锊ＡР牧?/span>在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201880059175.6 | 申請(qǐng)日： | 2018-08-22 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN111094201A | 公開（公告）日： | 2020-05-01 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 松下佳雅;佐藤史雄 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 日本電氣硝子株式會(huì)社 |
| 主分類號(hào)： | C03C3/32 | 分類號(hào)： | C03C3/32;C03C4/10;C03C17/34;G02B1/115;H01L31/0232 |
| 代理公司： | 北京尚誠(chéng)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11322 | 代理人： | 龍淳 |
| 地址： | 日本*** | 國(guó)省代碼： | 暫無(wú)信息 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 硫?qū)倩?/a> 玻璃 材料 | ||
1.一種硫?qū)倩锊ＡР牧希涮卣髟谟冢?/p>
以摩爾％計(jì)，含有20～99％的Te，在表面形成有防反射膜。
2.如權(quán)利要求1所述的硫?qū)倩锊ＡР牧希涮卣髟谟冢?/p>
以摩爾％計(jì)，含有40～95％的Te。
3.如權(quán)利要求1或2所述的硫?qū)倩锊ＡР牧希涮卣髟谟冢?/p>
以摩爾％計(jì)，還含有0～40％的Ge。
4.如權(quán)利要求1～3中任一項(xiàng)所述的硫?qū)倩锊ＡР牧希涮卣髟谟冢?/p>
以摩爾％計(jì)，還含有0～30％的Ga。
5.如權(quán)利要求1～4中任一項(xiàng)所述的硫?qū)倩锊ＡР牧希涮卣髟谟冢?/p>
防反射膜中交替疊層有低折射率層和高折射率層，所述低折射率層和所述高折射率層合計(jì)有2層以上。
6.一種光學(xué)元件，其特征在于：
使用權(quán)利要求1～5中任一項(xiàng)所述的硫?qū)倩锊ＡР牧稀?/p>
7.一種紅外線傳感器，其特征在于：
使用權(quán)利要求6所述的光學(xué)元件。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息，商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于日本電氣硝子株式會(huì)社，未經(jīng)日本電氣硝子株式會(huì)社許可，擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購(gòu)買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作，請(qǐng)聯(lián)系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201880059175.6/1.html，轉(zhuǎn)載請(qǐng)聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 具有硫?qū)倩锾荻鹊暮驅(qū)倩锇雽?dǎo)體
- 用于清潔和鈍化硫?qū)倩飳拥姆椒?/a>
- 用于制造太陽(yáng)能電池光吸收層的三層核?殼型納米顆粒及其制造方法
- 用于制造太陽(yáng)能電池的光吸收層的金屬硫?qū)倩锛{米顆粒及其制備方法
- 用于制備太陽(yáng)能電池的光吸收層的前體及其制備方法
- 用于光電器件的來自二維半導(dǎo)體層片的三維組裝活性材料
- 透鏡系統(tǒng)和制造方法
- 具有橫向半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)的半導(dǎo)體器件和方法
- 含有層間硫?qū)倩锏膶訝罱饘倭驅(qū)倩锛捌浜铣?/a>
- 含有層間硫?qū)倩锏膶訝罱饘倭驅(qū)倩锏闹苽浞椒?/a>
