[發明專利]光刻過程中的量測

有效

• 申請號: 201880058496.4
• 申請日: 2018-08-02
• 公開（公告）號: CN111095112B
• 公開（公告）日: 2022-05-13
• 發明（設計）人: S·G·J·馬西森;M·J·J·杰克;K·巴塔查里亞
• 申請（專利權）人: ASML荷蘭有限公司
• 主分類號: G03F7/20
• 分類號: G03F7/20
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 胡良均

1.一種用于估計已經在被測試襯底上進行的光刻過程的參數的設備，所述估計基于已經通過不對稱性強度數據的回歸分析確定的回歸分析數據，所述不對稱性強度數據又通過使用由光學系統在兩個或更多個波長處發射并由所述被測試襯底的至少第一特征衍射的輻射確定，所述設備包括：

處理器，配置成基于在被測試襯底的至少第一特征的特征不對稱性的測量并且還基于針對表示所述被測試襯底的至少一個另外的襯底的多個相應的至少第一特征所確定的關系，確定與所述被測試襯底有關的參數的估計的品質，所述關系是在與所述至少一個另外的襯底有關的參數的估計的品質的測量與相應的第一特征的特征不對稱性的測量之間的關系。

2.根據權利要求1所述的設備，其中

所發射的輻射被所述第一特征和第二特征衍射，所述第一特征具有正的重疊偏置，所述第二特征具有負的重疊偏置。

3.根據權利要求1或2所述的設備，其中，所述關系針對所述至少一個另外的襯底上的多個相應的第一特征和第二特征對確定。

4.根據權利要求1或2所述的設備，其中，所述特征不對稱性的測量包括所述回歸分析數據的截距項。

5.根據權利要求1或2所述的設備，其中，針對所述至少一個另外的襯底的參數的估計的品質的測量包括針對所述至少一個另外的襯底的相應的回歸分析數據的擬合優度。

6.根據權利要求5所述的設備，其中，已經通過使用從所述至少一個另外的襯底的多個相應的至少第一特征在大于所述光學系統發射的一個或更多個波長的多個波長下發射并衍射的輻射確定針對所述另外的襯底的相應的回歸分析。

7.根據權利要求1或2所述的設備，其中，所述處理器還被配置為：如果所述被測試襯底的至少第一特征的特征不對稱性的測量的幅值超過閾值，則忽略對所述被測試的襯底的參數的估計，所述閾值基于針對至少一個另外的襯底的相應的至少第一特征確定的關系。

8.根據權利要求1或2所述的設備，其中，所述至少第一特征形成量測目標的一部分。

9.根據權利要求1或2所述的設備，其中，所述處理器還被配置為基于所述光學系統在三個或更多個波長處發射并且從所述另外的襯底的多個相應的至少第一特征衍射的輻射，以：

針對與所述另外的襯底有關的多個相應的至少第一特征確定另外的襯底的不對稱性強度數據；

基于所確定的另外的襯底的不對稱性強度數據，確定與所述至少一個另外的襯底有關的參數的估計的品質的測量以及與所述另外的襯底有關的特征不對稱性的測量；和

確定與至少一個另外的襯底有關的參數的估計的品質的測量與多個相應的至少第一特征的特征不對稱性的測量之間的關系。

10.根據權利要求9所述的設備，其中，所述處理器還被配置為：通過對所述另外的襯底的不對稱性強度數據進行回歸分析，確定與所述至少一個另外的襯底有關的參數的估計的品質的測量。

11.根據權利要求10所述的設備，其中，與所述至少一個另外的襯底有關的參數的估計的品質的測量包括所述回歸分析的擬合優度。

12.一種用于基于輻射確定光刻過程的參數的估計的品質的測量與至少一個示例襯底的多個至少第一特征的特征不對稱性的測量之間的關系的設備，所述輻射由光學系統在兩個或更多個波長處發射并且從所述示例襯底的多個至少第一特征衍射，所述設備包括處理器，所述處理器配置為：

基于被衍射的輻射確定與至少一個示例襯底有關的多個至少第一特征的不對稱性強度數據；

基于所確定的不對稱性強度數據，確定與所述至少一個示例襯底有關的參數的估計的品質的測量以及與另外的襯底有關的特征不對稱性的測量；和

確定與至少一個示例襯底有關的參數的估計的品質的測量與多個至少第一特征的特征不對稱性的測量之間的關系。