[發明專利]具有加熱的噴頭組件的基板處理腔室

在審

• 申請號: 201880058133.0
• 申請日: 2018-08-21
• 公開（公告）號: CN111095514A
• 公開（公告）日: 2020-05-01
• 發明（設計）人: 法魯克·岡果爾;吳典曄;喬爾·M·休斯頓;張鎂;袁曉雄;大東和也;阿夫耶里諾斯·V·杰拉托斯;倉富敬;張鈾;曹斌
• 申請（專利權）人: 應用材料公司
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67;C23C16/44;H01L21/02;H05H1/46
• 代理公司: 北京律誠同業知識產權代理有限公司 11006
• 代理人: 徐金國;趙靜

1.一種噴頭組件，包括：

氣體分配板，所述氣體分配板具有多個孔；

保持器，所述保持器具有壁、徑向向內延伸的凸緣和徑向向外延伸的凸緣，所述徑向向內延伸的凸緣從所述壁的下部延伸且耦接至所述氣體分配板，所述徑向向外延伸的凸緣從所述壁的上部延伸，其中所述壁具有在約0.015英寸與約0.2英寸之間的厚度；和

加熱設備，所述加熱設備設置在所述氣體分配板上方并且與所述氣體分配板間隔開，其中所述加熱設備包括加熱器，所述加熱器配置以加熱所述氣體分配板。

2.如權利要求1所述的噴頭組件，其中所述保持器具有第一熱膨脹系數(CTE)，所述第一熱膨脹系數約為所述氣體分配板的第二熱膨脹系數的5％以內。

3.如權利要求1所述的噴頭組件，其中所述保持器由導電材料所形成，所述導電材料具有小于約30W/m·K的熱傳導性。

4.如權利要求1至3中任一項所述的噴頭組件，進一步包括：

RF電極，所述RF電極設置于所述加熱設備內，使得能在所述氣體分配板與所述加熱設備之間的空間中形成等離子體。

5.一種基板處理腔室，包括：

腔室主體；

頂板，所述頂板設置于所述腔室主體上方以界定在所述腔室主體與所述頂板內的內部容積；

基板支撐件，所述基板支撐件設置于所述內部容積的下部中，其中所述基板支撐件包括第一加熱器；

氣體分配板，所述氣體分配板具有多個孔，且所述氣體分配板設置于與所述基板支撐件相對的所述內部容積的上部中；和

加熱設備，所述加熱設備具有第二加熱器，且所述加熱設備設置在所述氣體分配板與所述頂板之間并且與所述氣體分配板和所述頂板間隔開，使得能界定出一氣流路徑，在所述氣流路徑中氣體從所述加熱設備之上，所述加熱設備周邊，和從所述加熱設備之下流入所述氣體分配板。

6.如權利要求5所述的基板處理腔室，其中所述第一加熱器包括一個或多個第一電阻加熱器元件，或一個或多個第一加熱燈，且其中所述第二加熱器包括一個或多個第二電阻加熱器元件，或一個或多個第二加熱燈。

7.如權利要求5所述的基板處理腔室，進一步包括：

保持器，所述保持器具有壁、徑向向內延伸的凸緣、和徑向向外延伸的凸緣，所述徑向向內延伸的凸緣從所述壁的下部延伸且耦接至所述氣體分配板，所述徑向向外延伸的凸緣從所述壁的上部延伸且設置在所述腔室主體與所述頂板之間。

8.如權利要求7所述的基板處理腔室，其中所述壁具有在約0.015英寸與約0.2英寸之間的厚度。

9.如權利要求7所述的基板處理腔室，進一步包括：

射頻(RF)功率源，所述RF功率源電耦接至所述頂板以傳送RF能量至所述基板處理腔室，其中所述頂板由導電材料所形成。

10.如權利要求9所述的基板處理腔室，進一步包括以下至少一者：

RF墊片，所述RF墊片設置于所述徑向向外延伸的凸緣與所述頂板之間，以利于RF能量從所述頂板，經由所述保持器，而進入所述氣體分配板的耦合；或

RF電極，所述RF電極設置于所述加熱設備內，使得能在所述氣體分配板與所述加熱設備之間的空間中形成等離子體。

11.如權利要求7所述的基板處理腔室，其中所述保持器具有第一熱膨脹系數(CTE)，所述第一熱膨脹系數約為所述氣體分配板的第二熱膨脹系數的5％以內。

12.如權利要求7所述的基板處理腔室，其中所述保持器由導電材料所形成，所述導電材料具有小于約30W/m·K的熱傳導性。