[發(fā)明專利]半導(dǎo)體裝置、存儲(chǔ)裝置及電子設(shè)備

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201880058030.4
• 申請(qǐng)日: 2018-08-24
• 公開（公告）號(hào): CN111052350A
• 公開（公告）日: 2020-04-21
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 大貫達(dá)也;松崎隆德;加藤清;山崎舜平
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 株式會(huì)社半導(dǎo)體能源研究所
• 主分類號(hào): H01L21/8242
• 分類號(hào): H01L21/8242;G11C5/02;G11C11/4097;H01L21/336;H01L27/108;H01L27/1156;H01L29/786;H01L29/788;H01L29/792
• 代理公司: 中國(guó)專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 何欣亭;姜冰

1.一種半導(dǎo)體裝置，包括：

設(shè)置有第一布線及第一晶體管的第一電路；以及

設(shè)置有第二晶體管的第二電路，

其中，所述第二電路層疊在所述第一電路上，

所述第一晶體管和所述第二晶體管與所述第一布線電連接，

并且，所述第二電路沒有設(shè)置所述第一布線的引繞部。

2.一種半導(dǎo)體裝置，包括：

第一電路；以及

第二電路，

其中，所述第一電路包括：

第一晶體管；以及

與所述第一晶體管電連接的第一布線，

所述第二電路包括：

導(dǎo)電體；以及

通過所述導(dǎo)電體與所述第一布線電連接的第二晶體管，

并且，所述導(dǎo)電體具有與所述第二晶體管的半導(dǎo)體層的底面接觸的部分。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體裝置，其中所述第二晶體管的半導(dǎo)體層包含金屬氧化物。

4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體裝置，其中所述第一晶體管及所述第二晶體管的半導(dǎo)體層包含金屬氧化物。

5.一種存儲(chǔ)裝置，包括：

位線；

與所述位線電連接的讀出放大器；以及

層疊在所述讀出放大器上的存儲(chǔ)單元陣列，

其中，所述存儲(chǔ)單元陣列包括與所述位線電連接的存儲(chǔ)單元，

所述存儲(chǔ)單元包括與所述位線電連接的寫入晶體管以及與所述寫入晶體管電連接的電容器，

并且，所述存儲(chǔ)單元陣列內(nèi)沒有所述位線的引繞部分。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的存儲(chǔ)裝置，其中所述寫入晶體管的半導(dǎo)體層包含金屬氧化物。

7.一種存儲(chǔ)裝置，包括：

讀出放大器區(qū)塊；以及

層疊在所述讀出放大器區(qū)塊上的存儲(chǔ)單元陣列，

其中，所述讀出放大器區(qū)塊包括：

位線；以及

與所述位線電連接的讀出放大器，

所述存儲(chǔ)單元陣列包括導(dǎo)電體和存儲(chǔ)單元，

所述存儲(chǔ)單元包括：

通過所述導(dǎo)電體與所述位線電連接的寫入晶體管；以及

與所述寫入晶體管電連接的電容器，

并且，所述導(dǎo)電體具有與所述寫入晶體管的半導(dǎo)體層的底面接觸的部分。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的存儲(chǔ)裝置，其中所述寫入晶體管的所述半導(dǎo)體層包含金屬氧化物。

9.一種安裝有權(quán)利要求5至8中任一項(xiàng)所述的存儲(chǔ)裝置的電子設(shè)備。