[發明專利]靜電基板支撐件幾何形狀的拋光有效
| 申請號: | 201880057686.4 | 申請日: | 2018-07-17 |
| 公開(公告)號: | CN111052317B | 公開(公告)日: | 2023-10-20 |
| 發明(設計)人: | 小溫德爾·G·博伊德;J·Z·何 | 申請(專利權)人: | 應用材料公司 |
| 主分類號: | H01L21/304 | 分類號: | H01L21/304;H01L21/683;H01L21/687;H01L21/02;H01L21/67 |
| 代理公司: | 上海專利商標事務所有限公司 31100 | 代理人: | 侯穎媖;張鑫 |
| 地址: | 美國加利*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 靜電 支撐 幾何 形狀 拋光 | ||
1.一種拋光基板支撐件的方法,包括:
旋轉拋光工作臺,所述拋光工作臺具有安裝于所述拋光工作臺上的拋光墊;
將拋光流體應用至所述拋光墊;
以拋光下壓力來促使所述基板支撐件的圖案化表面抵靠所述拋光墊,其中所述基板支撐件的所述圖案化表面包括從一個或多個凹陷表面延伸的多個突起,并且其中所述圖案化表面的基板接觸表面積小于待設置于所述基板支撐件上的基板的非器件側表面積的約20%;以及
拋光所述基板支撐件的所述圖案化表面,包括:
在面對基板的表面處從多個突起移除第一厚度的材料;及
從所述多個突起的一個或多個側面移除第二厚度的材料,其中所述第二厚度約等于或大于所述第一厚度。
2.如權利要求1所述的方法,其中所述多個突起中的每一者具有介于約3μm與約50μm之間的高度。
3.如權利要求1所述的方法,其中所述拋光墊包括具有大于約300μm的絨毛長度的氨基甲酸乙酯浸漬毛氈材料。
4.如權利要求1所述的方法,其中所述拋光墊具有大于約50%的孔洞容積。
5.如權利要求1所述的方法,其中所述基板支撐件的所述圖案化表面由介電材料形成,所述介電材料選自由以下項組成的群組:氧化鋁(Al2O3)、氧化氮(AlN)、氧化鈦(TiO)、氮化鈦(TiN)、氧化釔(Y2O3)、以及上述項的組合。
6.如權利要求1所述的方法,其中所述基板支撐件的所述圖案化表面進一步包括同心地設置于所述基板支撐件上的一個或多個外密封帶,并且所述一個或多個外密封帶中的至少一者接近所述圖案化表面的外周邊。
7.如權利要求1所述的方法,其中所述多個突起具有介于約500μm與約5μm之間的平均直徑。
8.如權利要求7所述的方法,其中所述圖案化表面的基板接觸表面積小于待設置于所述基板支撐件上的基板的非器件側表面積的約10%。
9.如權利要求7所述的方法,其中所述圖案化表面進一步包括多個內密封帶,每一個內密封帶同軸地繞開口設置,所述開口形成在所述基板支撐件的所述介電材料中。
10.一種拋光基板支撐件的圖案化表面的方法,包括:
旋轉拋光工作臺,所述拋光工作臺具有安裝于所述拋光工作臺上的拋光墊;
將拋光流體應用至所述拋光墊,所述拋光流體包括具有小于約10μm的平均直徑的金剛石磨料;
以拋光下壓力來促使所述基板支撐件的所述圖案化表面抵靠所述拋光墊,其中所述基板支撐件的所述圖案化表面包括從所述基板支撐件的一個或多個凹陷表面延伸的多個升高特征,并且其中形成界定基板接觸表面的所述多個升高特征的表面積小于待設置于所述基板支撐件上的基板的非器件側表面積的約20%;以及
拋光所述基板支撐件的所述圖案化表面,以從所述升高特征的上表面移除大于約0.5μm的材料。
11.如權利要求10所述的方法,其中所述圖案化表面由介電材料形成,所述介電材料選自由以下項所組成的群組:氧化鋁(Al2O3)、氧化氮(AlN)、氧化鈦(TiO)、氮化鈦(TiN)、氧化釔(Y2O3)、以及上述項的組合。
12.如權利要求11所述的方法,其中所述多個升高特征包括具有介于約500μm與約5mm之間的平均直徑的多個突起及以同心地設置于所述基板支撐件上的一個或多個外密封帶,其中所述一個或多個外密封帶中的至少一者接近所述圖案化表面的外周邊。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





