[發明專利]具備功能性芯片的基板的研磨方法

在審

• 申請號: 201880057226.1
• 申請日: 2018-08-22
• 公開（公告）號: CN111095492A
• 公開（公告）日: 2020-05-01
• 發明（設計）人: 戶川哲二;曾布川拓司;畠山雅規
• 申請（專利權）人: 株式會社荏原制作所
• 主分類號: H01L21/304
• 分類號: H01L21/304;B24B37/013;B24B49/04;B24B49/10;B24B49/12;B24B49/16
• 代理公司: 上海華誠知識產權代理有限公司 31300
• 代理人: 肖華

1.一種具備功能性芯片的基板的研磨方法，對所述基板進行化學機械研磨，該研磨方法的特征在于，具有以下步驟：

在基板配置功能性芯片的步驟；

在所述基板配置終點檢測元件的步驟；

由絕緣材料對配置有所述功能性芯片及所述終點檢測元件的基板進行密封的步驟；

研磨所述絕緣材料的步驟；及

研磨所述絕緣材料時，依據所述終點檢測元件來檢測研磨終點的步驟。

2.如權利要求1所述的研磨方法，其特征在于，

所述終點檢測元件具有反射元件，

所述研磨方法具有以下步驟：

對所述反射元件照射光的步驟；及

接收從所述反射元件反射的光的步驟。

3.如權利要求1或2所述的研磨方法，其特征在于，

具有將所述終點檢測元件通過粘接劑而固定于功能性芯片的上表面的步驟。

4.如權利要求1-3中任一項所述的研磨方法，其特征在于，

所述終點檢測元件具有虛擬元件，該虛擬元件與構成在基板上的功能無關。

5.如權利要求1-4中任一項所述的研磨方法，其特征在于，具有以下步驟：

在所述絕緣材料上形成金屬層的步驟；及

研磨所述金屬層的步驟；

在研磨所述金屬層時，依據

(1)通過渦電流傳感器檢測的渦電流的變化；

(2)通過光學傳感器檢測的來自金屬層的反射光的變化；及

(3)研磨阻力的變化

中的至少一個來檢測研磨終點。

6.如權利要求1-4中任一項所述的研磨方法，其特征在于，具有以下步驟：

在所述絕緣材料上形成障壁模塑層的步驟；及

在所述障壁模塑層上形成金屬層的步驟；

在研磨所述金屬層時，依據

(1)通過渦電流傳感器檢測的渦電流的變化；

(2)通過光學傳感器檢測的來自金屬層的反射光的變化；及

(3)研磨阻力的變化

中的至少一個來檢測研磨終點。

7.如權利要求1-6中任一項所述的研磨方法，其特征在于，具有以下步驟：

在研磨絕緣材料后，對絕緣材料實施配線用加工的步驟；及

對加工后的絕緣材料表面實施用于提高親水性的表面處理的步驟。

8.一種具備功能性芯片的基板的研磨方法，對所述基板進行化學機械研磨，該研磨方法的特征在于，

基板處于配置有功能性芯片及終點檢測元件且由絕緣材料密封的狀態，

所述研磨方法具有以下步驟：

研磨所述絕緣材料的步驟；及

在研磨所述絕緣材料時，依據所述終點檢測元件檢測研磨終點的步驟。

9.如權利要求8所述的研磨方法，其特征在于，

所述終點檢測元件具有反射元件，

所述研磨方法具有以下步驟：

對所述反射元件照射光的步驟；及

接收從所述反射元件反射的光的步驟。

10.如權利要求8或9所述的研磨方法，其特征在于，

所述終點檢測元件通過粘接劑而固定于功能性芯片的上表面。

11.如權利要求8-10中任一項所述的研磨方法，其特征在于，

所述終點檢測元件具有虛擬元件，該虛擬元件與構成在基板上的功能無關。

12.如權利要求8-11中任一項所述的研磨方法，其特征在于，

所述基板處于在所述絕緣材料上形成有金屬層的狀態，

所述研磨方法具有研磨所述金屬層的步驟，

在研磨所述金屬層時，依據

(1)通過渦電流傳感器檢測的渦電流的變化；

(2)通過光學傳感器檢測的來自金屬層的反射光的變化；及

(3)研磨阻力的變化

中的至少一個來檢測研磨終點。